氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法技术

一种氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法，其步骤包括：　　　　１）采用金属有机化合物气相沉积方法在带有陪片的石墨舟上生长一层ＡｌＧａＮ薄膜；　　　　２）置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；　　　　３）按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属有机化学气相沉积(MOCVD)
，尤其涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。
技术介绍
目前，铟镓氮/氮化镓(InGaN/GaN)多量子阱发光二极管主要有以下生长方法1)在衬底(蓝宝石、碳化硅、砷化镓等)上直接生长见S.Nakamura et al.，Apply.Phys.Lett.58，2021(1991)；C.I.Park et al.，Journal of Crystal Growth 224(2001)190-194；和C.R.Abernathy rt al.，Appl.Phys.Lett.66，1632(1995)。MOCVD生长氮化物材料和器件的主要障碍是没有晶格完全匹配的衬底材料。目前普遍使用的是蓝宝石衬底。其价格较低、高温稳定性好。但是不能制造电极，晶格和热膨系数也存在较大的差异。碳化硅(SiC)本身具有蓝光发光特性，也可以制作电极，其晶格常数和热膨胀系数更接近III族氮化物。但是，SiC比蓝宝石成本高。砷化镓(GaAs)价格比较便宜，可以制作电极，并可能实现与GaAs基器件的集成。但GaAs衬底高温下易分解，需进一步改进。硅(Si)衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法，其步骤包括1)采用金属有机化合物气相沉积方法在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；2)置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；3)按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。2.如权利要求1所述的氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法，其特征在于所述1)包括采用金属有机化学气相沉积方法，于1000℃～1150℃下以三甲基镓、三甲基铝和氨气为源，在带有蓝宝石衬底陪片的石墨舟上生长一层约0.5～1μm厚的Alx...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志坚，张国义，李忠辉，余彤军，胡晓东，陈志忠，秦志新，章蓓，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：