一种厚膜SOI场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种厚膜ＳＯＩ场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服ＳＯＩ器件固有的Ｋｉｎｋ效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜ＳＯＩ场效应晶体管。本发明专利技术的技术方案为：一种厚膜ＳＯＩ场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜ＳＯＩ场效应晶体管的本体，在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。本发明专利技术不仅克服了厚膜ＳＯＩ场效应晶体管所固有的Ｋｉｎｋ效应，器件的驱动电流也大大增加，使得器件工作速度大大提高。异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置有较大波动，为厚膜ＳＯＩ器件提供了一个更广阔的设计空间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，特别涉及一种厚膜SOI场效应晶体管。
技术介绍
SOI(Silicon-on-Insulator)技术经过二十多年的发展，已经成为高速、低压低功耗集成电路的优选技术。与体硅技术相比，SOI技术有着不可比拟的优越性。SOI器件具有寄生结电容小、抗辐照性能好、抗寄生闩锁效应等优点，已经被现今的工业界所广泛地采用(J.P.Coling，，2ndEdition，Kluwer Academic Pub.，2000，KeithDiefendorff，Microprocessor Report，Vol.12，No.4，August 24，1998)。但厚膜SOI器件由于硅膜部分耗尽，存在中性体区，当漏电压较高时，会出现Kink效应，使器件的漏电流迅速地增大，影响器件的性能，大大限制了厚膜器件的应用。人们为了解决厚膜SOI器件固有的Kink效应对器件性能的影响，尽量减薄硅膜厚度，使硅膜处于全耗尽状态。薄膜全耗尽(FD)SOI器件可以消除Kink效应，有效地抑制器件的短沟道效应(SCE)、改善亚阈特性、提高器件的跨导(S.Maeda et al.，IEDM Tech.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种厚膜ＳＯＩ场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜ＳＯＩ场效应晶体管的本体，其特征为：在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。

【技术特征摘要】
1.一种厚膜SOI场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜SOI场效应晶体管的本体，其特征为在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。2.根据权利要求1所述一种厚膜SOI场效应晶体管，其特征在于所述异型硅岛位于硅膜的底部中央处。3.根据权利要求1或2所述一种厚膜SOI场效应晶体管，其特征在于所述异型硅岛宽度约为所述沟道长度的五分之三。4.根据权利要求1或2所述一种厚膜SOI场效应晶体管，其特征在于所述异型硅岛厚度等于所述硅膜厚度的一半。5.根据权利要求1或2所述一种厚膜SOI场效应晶体管，其特征在于所述异型硅岛宽度约为所述沟道长度的五分之三，厚度等于所述硅膜厚度的一半。6.根据权利要求1或2所述一种厚膜SOI场效应晶体管，其特征在于所述异型硅岛掺杂浓度高于所述硅膜的掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨胜齐，何进，黄如，王文平，张兴，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]