一种非对称栅场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的制作。本发明专利技术的技术方案是：一种非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，在衬底的两端置有所述源端和漏端，在源端和漏端之间的衬底上置有栅氧化层，栅氧化层分为两部分，一部分靠近源端，一部分靠近漏端，靠近源端部分的栅氧化层厚度大于靠近漏端的栅氧化层厚度。本发明专利技术非对称栅场效应晶体管在特征尺寸缩小以后，仍然可以有效地抑制器件的ＤＩＢＬ效应，改善器件的短沟道特性，是深亚微米器件的一个很好选择。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件中的场效应晶体管，特别涉及一种非对称栅场效应晶体管。
技术介绍
不断缩小器件的尺寸、提高集成度以获得更好的性能是集成电路技术追求的目标，但是当器件的特征尺寸进入到深亚微米以后，器件的短沟道效应(Short-Channel-Effect)、漏致势垒降低效应(Drain-Induced-Barrier-Lower Effect，简称DIBL效应)、热载流子效应(Hot-Carrier-Effect，简称HCE效应)等日趋严重，使器件性能退化。现有技术通过沟道工程和栅工程来解决这些问题。沟道工程是通过沟道内的非均匀掺杂来提高器件的性能，所得到的沟道电场分布是连续的；而栅工程则是通过改变器件沟道内的电场分布来改善器件的特性，所得到的沟道电场分布是不连续的。在沟道工程中，人们提出了许多新的沟道结构器件，如轻掺杂漏(Lightly-Dope-Drain，简称LDD)结构、Pocket和Halo结构等。轻掺杂漏结构可以有效地吸收漏端的电力线，降低器件的漏端电场，抑制热载流子效应(Franklin L.Duan.et al.Electron Devices，IEEE 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，在所述衬底的两端置有所述源端和漏端，在所述源端和漏端之间的衬底上置有所述栅氧化层，其特征在于：所述栅氧化层分为两部分，一部分靠近源端，一部分靠近漏端，靠近源端部分的栅氧化层厚度大于靠近漏端的栅氧化层厚度。

【技术特征摘要】
1.一种非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，在所述衬底的两端置有所述源端和漏端，在所述源端和漏端之间的衬底上置有所述栅氧化层，其特征在于所述栅氧化层分为两部分，一部分靠近源端，一部分靠近漏端，靠近源端部分的栅氧化层厚度大于靠近漏端的栅氧化层厚度。2.根据权利要求1所述的一种非对称栅场效应晶体管，其特征在于所述非对称栅场效应晶体管衬底掺杂浓度Np-＝5×1016cm-3，源、漏区N+掺杂浓度Nn+＝1×1020cm-3、...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨胜齐，何进，黄如，王文平，张兴，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]