【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种作为具有异质结型的活性区域的DTMOS或者MISFET作用的半导体装置，特别涉及在低电源电压下动作的半导体装置。
技术介绍
近年来，电池驱动的便携式信息终端装置已经广泛使用。在这样的装置中，为了延长电池寿命，强烈要求在不牺牲高速动作的情况下能降低电源电压。为了在低电源电压下也能实现高速动作，降低阈值电压虽然是有效的方法，但这时，因栅极截止时的漏电流增大，所以阈值电压存在着下限值。因此，例如在文献(F.Assaderaghi et.al.，″A Dynamic Threshold VoltageMOSFET(DTMOS)for Ultra-Low Voltage Operation，″IEDM94 Ext.Abst.p.809)所记载的那样，提出了作为解决这样的问题、在低电压时漏电流也小并且具有高驱动能力的器件、被称为DTMOS(Dynamic ThresholdVoltage MOSFET)的元件。现有技术的DTMOS，包括在半导体衬底的活性区域上设置的栅绝缘膜；栅电极；在位于活性区域中栅区的两侧的区域中设置的源·漏区域；以及在位于衬底活性区...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于：包括：至少包含第１半导体膜、和与所述第１半导体膜的带隙不同的、从邻接上述第１半导体膜的部位开始向远离第１半导体膜的方向使带隙减小那样构成的第２半导体膜、的半导体层；在所述半导体层上设置的栅绝缘膜； 在所述栅绝缘膜上设置的栅电极；在所述半导体层中位于所述栅电极两侧的区域中导入了第１导电型杂质所形成的源.漏区域；在所述第２半导体膜中位于所述源.漏区域之间的区域中导入了第２导电性杂质所形成的沟道区域；在所述第 ２半导体膜中位于所述源.漏区域之间的区域中导入了比所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-4-18 119586/20011.一种半导体装置，其特征在于包括至少包含第1半导体膜、和与所述第1半导体膜的带隙不同的、从邻接上述第1半导体膜的部位开始向远离第1半导体膜的方向使带隙减小那样构成的第2半导体膜、的半导体层；在所述半导体层上设置的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上设置的栅电极；在所述半导体层中位于所述栅电极两侧的区域中导入了第1导电型杂质所形成的源·漏区域；在所述第2半导体膜中位于所述源·漏区域之间的区域中导入了第2导电性杂质所形成的沟道区域；在所述第2半导体膜中位于所述源·漏区域之间的区域中导入了比所述沟道区域的浓度高的第2导电性杂质所形成的本体区域；以及将所述栅电极与所述本体区域电连接的导体部件。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述第1半导体膜，是由组成由Si1-x1-y1Gex1Cy1(0≤x1＜1，0≤y1＜0)表示的半导体所构成，所述第2半导体膜，是由组成由Si1-x2-y2Gex2Cy2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，x2+y2＞0)表示的半导体所构成。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于所述第1半导体膜由硅构成，所述第2半导体膜，是由组成由Si1-x3Gex3(0＜x3≤0.4)表示的半导体所构成，并且，在所述第2半导体膜中的Ge组成比从邻接所述第1半导体膜的部位向上方增大。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于所述第1半导体膜由硅构成，所述第2半导体膜，是由组成由Si1-y3Cy3(0＜y3≤0.03)表示的半导体所构成，并且，在所述第2半导体膜中的C组成比从邻接所述第1半导体膜的部位向上方增大。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于所述第1半导体膜由硅构成，所述第2半导体膜，是由组成由Si1-x4-y4Gex4Cy4(0＜x4≤0.4，0＜y4≤0.03)表示的半导体所构成。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于所述第1导电型是n型，所述第2导电型是p型，在从所述本体区域向所述第1半导体膜中的位于源·漏区域的区域流动的衬底电流中，空穴形成的成分比电子形成的成分要小。7.根据权利要求1～5中任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上彰，高木刚，原义博，久保实，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。