温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置，倾斜ＳｉＧｅ－ＨＤＴＭＯＳ的半导体层（３０），由上部Ｓｉ膜（１２）、Ｓｉ缓冲层（１３）、Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］膜（１４）以及Ｓｉ罩层（１５）所构成。在半导体层（３０）中的源区域（２０ａ）和漏区域（２０ｂ）之间的区域设置...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。