一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其制作方法技术

一种源漏下陷型超薄体ＳＯＩ　　ＭＯＳ晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一沟道区，一源区和一漏区；所述栅电极位于栅介质层之上；所述栅介质位于沟道层之上；所述沟道区两端分别与所述源区和漏区相连；所述晶体管位于绝缘衬底上；　　　其特征在于，　　　　　所述源漏区的底部低于沟道区底部，即源漏区比沟道区厚；厚源漏区通过辐射状的衔接部分过渡到薄沟道区；在所述过渡区，源漏区的一部分延伸到所述栅电极之下与之形成交叠；源漏区相互对称并和栅电极自对准。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路及其制造
，尤其涉及一种源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管及其集成电路的制造方法。
技术介绍
集成电路尤其超大规模集成电路中的主要器件是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，简称MOSFET)。自MOSFET被专利技术以来，其几何尺寸一直在不断缩小，目前其特征尺寸已进入亚十分之一微米区。在此区域，各种实际的和基本的限制开始出现，器件尺寸的进一步缩小正变得越来越困难。就常规的互补型金属-氧化物-半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor，简称CMOS)集成电路技术而言，随着MOS器件特征尺寸(栅长度)的不断减小，为抑制短沟道效应，其它部分的几何尺寸也必须相应缩小。其中最具挑战性的是源漏结深的减小。MOSFET通常可分两类，一类是体硅型，即器件制作在体硅衬底上；另一类是绝缘衬底上硅(Silicon oninsulator，简称SOI)型，即器件制作在SOI衬底上。在体硅情况下，源漏区通常由离子注入或扩散掺杂来形成，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一沟道区，一源区和一漏区；所述栅电极位于栅介质层之上；所述栅介质位于沟道层之上；所述沟道区两端分别与所述源区和漏区相连；所述晶体管位于绝缘衬底上；其特征在于，所述源漏区的底部低于沟道区底部，即源漏区比沟道区厚；厚源漏区通过辐射状的衔接部分过渡到薄沟道区；在所述过渡区，源漏区的一部分延伸到所述栅电极之下与之形成交叠；源漏区相互对称并和栅电极自对准。2.如权利要求1所述的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管，其特征在于，所述绝缘衬底包括一隐埋介质层和一基底，隐埋介质层在基底之上，所述隐埋介质层局部形成浅槽，所述晶体管的源漏区位于该浅槽内，即源漏区下陷于隐埋介质层之中，而沟道区位于该隐埋介质层的表面。3.如权利要求1所述的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管，其特征在于，所述沟道区的材料为单晶半导体硅或锗硅合金，厚度为50～200埃。4.如权利要求1所述的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管，其特征在于，所述栅电极材料为下列材料或组合之一多晶硅与其金属化合物组合、多晶锗硅与其金属化合物组合、多晶硅金属化合物、多晶锗硅金属化合物、金属。5.如权利要求1所述的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管，其特征在于，所述栅介质层材料为下列材料之一氧化硅、氮氧化硅、高k；其等效氧化层厚度为5～20埃。6.如权利要求1所述的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管，其特征在于，所述源漏区为半导体材料及其金属半导体化合物，或者仅为金属半导体化合物，最深处厚度为350～750埃。7.如权利要求6所述的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管，其特征在于，所述半导体材料为硅或锗硅合金。8.一种源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管及其集成电路的制作方法，包括以下步骤(1)减薄SOI衬底上半导体层的厚度到所需厚度；(2)定出器件有源区；(3)生长栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，陈文新，张志宽，黄如，韩汝琦，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：