利用击穿电压的半导体存储单元薄氧化层的测试方法技术

一种测试可编程存储器单元的方法，该存储器单元可以用于拥有选择线和存取线存储器阵列中，存储器单元由两根存取线之间的选择晶体管以及与它相连的数据存储单元组成，此外选择晶体管的栅与一根选择线相连，而数据存取单元包含有用来物理存储数据的超薄绝缘介质，其特征是这种存储单元的测试方法包括：　　　　在该超薄绝缘介质上加上测试电压，该测试电压小于该超薄绝缘介质的击穿电压，　　　　当加载测试电压时，测量流过该超薄绝缘介质的电流总量，　　　　如果流过的电流小于常规电流电平，确认该存储单元不能起作用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与利用薄氧化层的击穿原理作为编程机理的不挥发可编程半导体存储器有关，更特别的是，与决定薄氧化层编程寿命的方法相关，涉及一种。·
技术介绍
非挥发性性存储器能够在断电的情况下仍然保存存储的数据，这种特性能够应用在很多类型的电子设备中。一种常见的不挥发性存储器是可编程只读存储器(PROM)，它利用诸如熔丝、反熔丝之类的字线/位线交叉点元件和诸如浮置栅雪崩注入金属氧化物半导体(“FAMOS”)晶体管之类的俘获电荷器件来存储逻辑信息。制作各种非挥发性存储器所采用的各种工艺在改进方面普遍落后于广泛使用的工艺的改进。例如，如果要制作高压发生电路所需要的各种特殊区域和结构、三阱、浮置栅、ONO层、以及这种器件中通常看到的特殊源和漏结，像快闪EEPROM(电可擦除只读存储器)那样的器件工艺所需要的光刻次数要比标准的先进CMOS逻辑工艺多30％。相应地，快闪器件的制作工艺要落后于标准的先进CMOS逻辑工艺一到两代，而每块大圆片的成本要比后者贵30％左右。作为另一个例子，制作反熔丝的工艺必须适合于制作各种反熔丝结构和高压电路，但该工艺同样比标准的先进CMOS工艺落后大约一代。通常，我们非常关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭泽忠，
申请(专利权)人：彭泽忠，
类型：发明
国别省市：