下载利用击穿电压的半导体存储单元薄氧化层的测试方法的技术资料

文档序号:3206872

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一种测试可编程存储器单元的方法,该存储器单元可以用于拥有选择线和存取线存储器阵列中,存储器单元由两根存取线之间的选择晶体管以及与它相连的数据存储单元组成,此外选择晶体管的栅与一根选择线相连,而数据存取单元包含有用来物理存储数据的超薄绝缘介质...
该专利属于彭泽忠所有,仅供学习研究参考,未经过彭泽忠授权不得商用。

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