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一种源漏下陷型超薄体ＳＯＩ　　ＭＯＳ晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一沟道区，一源区和一漏区；所述栅电极位于栅介质层之上；所述栅介质位于沟道层之上；所述沟道区两端分别与所述源区和漏区相连；所述晶体管位于绝缘衬底上；　...
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