用于确定源和漏以及中间间隙的方法技术

公开了一种用于制造图形化金属层的方法。该方法包括在衬底上形成单分子层掩模的步骤（１０６）。该掩模将被用于金属层（１０８）的选择性无电镀沉积。这样，金属层就会在没有单分子层的区域生长。因此，长出的金属层就能形成薄膜晶体管的中间有间隙的源电极和漏电极，间隙部分的单分子层阻止沉积。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于确定薄膜晶体管的源和漏以及中间间隙的方法。该方法包括步骤在衬底上沉积第一金属层，以及通过微接触印刷在第一金属层上形成单分子层掩模。目前非常渴望改善基于薄膜结构的大面积电子器件的制造。大面积电子器件，例如有源矩阵液晶显示器(AM-LCDs)的制造，是基于集成电路的制造。然而，减小集成电路的尺寸并不能直接降低大面积电子器件的成本。因此，更多的努力被放在发展制造大面积电子器件的新技术上。这些大面积电子器件大多数是基于晶体管组合。因此，所关心的是同时制作多个晶体管的制造工艺。为使用相对低迁移率半导电材料，如多晶Si、非晶Si、或者甚至有机半导体获得足够高的开关速度，保持晶体管中的源和漏之间的间隙小是很重要的。传统上，使用光刻制作晶体管结构。然而，对于大面积电子器件这种技术变得非常昂贵，因此替代技术得到了关注。现在已经发展了一些用于制造薄膜晶体管的新技术。在Y.Xia和G.M.Whitesides软蚀刻微影(Soft Lithography，Angew.Chem.Int.Ed.1998，37，550-575)中，介绍了一种用于在表面上确定自组装单分子层(SAM)的掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
确定薄膜晶体管的中间有间隙的源和漏的方法，包括步骤：在衬底上沉积第一金属层，使用微接触印刷在第一金属层上形成单分子层掩模，沉积第二无电镀金属层，所述第二无电镀金属层选择性地沉积在第一金属层未被单分子层覆盖的区域上，以 及除去单分子层和至少被单分子层覆盖的区域中的第一金属层。

【技术特征摘要】
EP 2001-12-6 01204703.11.确定薄膜晶体管的中间有间隙的源和漏的方法，包括步骤在衬底上沉积第一金属层，使用微接触印刷在第一金属层上形成单分子层掩模，沉积第二无电镀金属层，所述第二无电镀金属层选择性地沉积在第一金属层未被单分子层覆盖的区域上，以及除去单分子层和至少被单分子层覆盖的区域中的第一金属层。2.根据权利要求1的方法，其中形成单分子层掩模的步骤包括使用带有突出的元件的印模，通过在第一层和印模之间建立图形化的接触，将形成单分子层的分子从印模转移到第一金属层上。3.根据权利要求2的方法，其中形成单分子层掩模的步骤包括为印模提供形成单分子层的分子的步骤。4.根据权利要求3的方法，其中为印模的表面提供形成单分子层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：MH布里斯，MR博赫梅，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]