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公开了一种用于制造图形化金属层的方法。该方法包括在衬底上形成单分子层掩模的步骤（１０６）。该掩模将被用于金属层（１０８）的选择性无电镀沉积。这样，金属层就会在没有单分子层的区域生长。因此，长出的金属层就能形成薄膜晶体管的中间有间隙的源电极和...
该专利属于皇家飞利浦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家飞利浦电子股份有限公司授权不得商用。

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