一种高度测量传感器，包括投射单元和检测单元。投射单元包括辐射源和投射光栅，投射光栅包括具有多个光栅线的投射光栅光斑，投射光栅被布置为接收辐射并且将辐射束输出到表面上以产生辐射光斑。检测单元包括：检测光栅，包括具有多个光栅线的检测光栅光斑...

披露了用于多层量测的方法、设备和软件。一种方法包括利用SEM系统获得物体的图像数据，其中，在多个着陆能量水平处获取所述图像数据。通过执行对所述图像数据的逐像素图像处理产生合成图像。从所述合成图像确定量测特性，并且基于所述量测特性对特征执...

用于控制电子束系统中高级电荷控制器模块的束斑的系统和方法。高级电荷控制器模块包括MEMS反射镜，该反射镜被配置为控制和整形射束，以便执行射束对准、增加感兴趣区域的功率密度并实时调制功率密度。

公开了一种源选择模块，用于选择宽带照射束的光谱特性以获得调制的照射束。该源选择模块包括：第一束色散组件，用于沿第一方向色散光束；第二束色散组件，用于沿与所述第一方向垂直的第二方向色散光束；可控衍射组件，可操作以在宽带照射束被所述第一束色...

一种用于过滤带电粒子束检测器中的误报的方法包括：利用检测器上检测到的带电粒子着陆事件的空间信息。检测器上检测到的带电粒子着陆事件的空间分布与着陆事件的预期分布进行比较，以确定带电粒子着陆事件是真实的概率。

用于可移动地支撑反射镜的组件包括：反射镜；以及一个或多个可变形构件。所述或每个可变形构件的第一端限定支撑部分，并且所述或每个可变形构件的第二端被直接或间接地附接到反射镜（例如在反射镜的后表面上）。所述或每个可变形构件包括第一致动器和第二...

公开了一种使用带电粒子束装置对样品进行成像的系统和方法。装置可以包括带电粒子源，被配置成发射带电粒子；孔径板，被配置成沿初级光轴从所发射的带电粒子形成初级带电粒子束；多个初级带电粒子束偏转器，被配置成使要被入射在样品表面上的初级带电粒子...

本发明公开了一种量测装置，其包括用于调制输入辐射的相位调制器设备，相位调制器设备包括至少一个第一相位调制器。第一相位调制器包括：第一移动光栅，该第一移动光栅处于至少一种操作状态，用于衍射输入辐射并且使经衍射辐射的频率发生多普勒偏移；以及...

本发明提供了一种带电粒子光学设备，用于向以网格布置的样品位置投射带电粒子束。该设备包括：限束孔径阵列和条带阵列。在限束孔径阵列中限定了多个孔径，以便产生射束网格。条带阵列沿射束路径定位。条带阵列跨多个射束的路径延伸，以对沿相应条带阵列的...

一种设备包括照射系统、投射系统和检查系统。照射系统照射图案化装置的图案。投射系统将图案的图像投射到衬底上。检查系统包括辐射源、光学元件和检测器。辐射源生成辐射。光学元件将辐射朝向衬底上的目标引导。检测器包括光敏装置和方芯光纤。光敏装置至...

本文描述了一种用于确定图案形成装置图案的方法。所述方法包括：获得具有至少一个特征的初始图案形成装置图案，对所述初始图案形成装置图案应用斑点检测；以及使用基于所述斑点检测的结果的成本函数，确定所述图案形成装置图案。还公开包括机器可读指令的...

公开了一种照射模式选择器以及相关联的光学量测工具，该照射模式选择器用于光学量测工具的照射分支中。该照射模式选择器包括多个照射孔；和至少一个偏振改变光学元件。照射孔中的每个和至少一个偏振改变光学元件中的每个都可单独地切换到光学量测工具的照...

披露了一种用于提供至少一个辐射束以用作量测装置中的照射束和/或参考束的照射装置。所述照射装置包括至少一个辐射束修改器模块，所述至少一个辐射束修改器模块能够操作以接收源照射且输出经修改的辐射束，所述经修改的辐射束包括第一束分量和第二束分量...

公开了一种改进系统，例如用于带电粒子束系统(诸如扫描电子显微镜(SEM))中的晶片外部检查。该系统使用晶片703周围的多个导电电极(例如，环710、711)来校正晶片外部发生的电场畸变。这些环上施加不同的互补电压VS1、VS2，以便实现...

本文中公开了涉及量测装置和相关联的方法的实施例，该量测装置和相关联的方法用于使用固定传感器(510，530，610)组件并行地对设置在基板(550，650)上的多个目标(例如，对准标记)进行成像，该固定传感器组件与可更换光学路由组件(5...

公开了一种从在执行所述处理步骤之前在图案化衬底上测量的第一量测数据来推断与已在其上曝光图案并已在其上执行处理步骤的图案化衬底有关的第二量测数据的方法。该方法包括获得包括第一模型组件的模型。第一模型组件包括机器学习模型组件，该模型组件已被...

一种目标材料生成器包括：储槽系统和喷嘴供应系统之间的流体流动路径，以及在流体流动路径中的耦合组件。目标材料生成器是极紫外光源的一部分。耦合组件包括第一装配件，该第一装配件耦合到第二装配件，从而沿着流体流动路径形成流动导管，其中密封部形成...

公开了用于确定由电子束用于套刻测量的一个或多个参数的系统、非暂态计算机可读介质和方法。在一些实施例中，该方法包括基于晶片叠层的多个特性和在晶片叠层上的多个特征处检测到的多个背散射电子(BSE)产率来确定晶片叠层的套刻测量的获取时间。该方...

披露了一种确定用于控制光刻设备或量测设备的至少一个第一部件的校正的方法和相关联的设备。所述方法包括：获得经训练的人工智能模型，所述经训练的人工智能模型已经被训练以将与所述光刻设备或量测设备的至少一个第二部件有关的输入数据映射到与所述至少...

一种用于对潜在元素进行排序和/或选择以在潜在空间表示中建模低维数据的方法，低维数据是模型的第一模型组件确定的输入数据的降维表示，该方法包括训练所述模型和基于所述训练来选择所述潜在元素选择之一的步骤，所述训练包括：降低输入数据的维度以在所...