披露了一种用于确定衬底上的结构相对于名义竖直位置的竖直位置的方法。所述方法包括：针对多个不同波长，获得与来自所述结构的散射辐射相关的复合场数据；根据所述复合场数据确定相位参数随波长的变化；以及根据所确定的相位随波长的变化来确定相对于名义...

用于EUV光刻的表膜包括：芯部层，所述芯部层包括硅且具有至少一个非氧化表面；和盖层，所述盖层位于所述芯部层的至少一个主表面处。所述盖层包括碳和/或硼。可以在曝光操作之前或期间移除所述盖层。

公开了一种确定来自衬底上的目标的感兴趣参数的值的方法。该方法包括获取量测数据，该量测数据包括使用相应的不同测量波长获得的感兴趣的单波长参数值；以及从所述感兴趣的单波长参数值的堆叠灵敏度得出的加权组合确定所述感兴趣的参数值。还公开了一种至...

本申请的主题为“用于基于显影后图像确定图案缺陷的方法”。本文中描述了一种训练模型的方法，该模型被配置为预测与成像衬底相关联的特征在成像衬底的蚀刻之后是否将有缺陷，并且基于已训练模型确定蚀刻条件。该方法包括经由量测工具获取(i)在给定位置...

披露一种针对由照射源产生的源光谱的效应校正测量的光谱的方法。所述方法包括：根据测量参数获得测量的光谱，在使用来自所述照射源的源辐射而照射周期性结构之后从来自所述周期性结构的被捕获的衍射辐射获得所述测量的光谱，所述周期性结构是光谱仪光栅和...

本文公开了一种适用于EUV曝光过程的衬底支撑装置，该衬底支撑装置包括：衬底支撑件，所述衬底支撑件被布置为支撑衬底；以及电源装置，所述电源装置被配置为当衬底被EUV辐射照射时在衬底中产生交变电场。

公开了用于确定与光刻过程一起使用的掩模图案的方法、系统和计算机软件。一种方法包括：基于目标图案指派二维元件的部位；基于关联准则使所述二维元件相关联以形成表示掩模特征的簇；以及调整所述簇的所述二维元件以改变所述掩模特征。

本文公开了一种残余气体分析仪RGA，用于确定真空工具中的气体成分的量，该RGA包括第一检测器和第二检测器，其中：第一检测器被配置为使得由第一检测器可确定的最大气体成分量大于由第二检测器可确定的最大气体成分量；第一检测器被配置为使得由第一...

一种用于测量与半导体制造工艺相关的结构参数的装置。该装置包括源组件，该源组件被配置为提供具有一个或多个第一波长的测量辐射，用于照射衬底上的结构。该装置还包括滤光器，该滤光器被布置为接收从结构散射的散射测量辐射，其中滤光器被配置为透射一个...

自动缺陷分类方法可以包括从检查工具获取包括候选缺陷集的图像数据集，制定多个缺陷检查类型和多个滋扰检查类型，并使用机器学习分类器根据缺陷检查类型和滋扰检查类型来对候选缺陷集进行分类。在分类方法中使用多个滋扰检查类型来降低滋扰率。

公开了一种用于在极紫外光源中执行目标量测的系统和方法，其中用于目标成像/检测系统的照射被选择为具有小于400nm的中心波长。在一些实施例中，该照射被附加地选择为具有至少4nm的线宽。在一些实施例中，照射被获得作为钛:蓝宝石激光器的二次谐...

检查装置包括辐射源、光学系统和检测器。辐射源被配置为产生辐射束。光学系统被配置为接收射束并沿着光轴将射束朝向目标引导，以便产生来自目标的散射辐射。光学系统包括射束移位器。射束移位器包括两个或更多个反射表面。射束移位器被配置为接收沿着光轴...

本发明披露一种隔膜、掩模组件以及光刻设备。隔膜具有至少0.1的IR辐射发射率，并且对于EUV辐射是基本上透射的。隔膜包括：核心层，所述核心层对于EUV辐射是基本上透射的，并且具有60nm或更小的厚度，和用于改进的IR发射率的盖层，包括吸...

描述了一种用于清洁光刻设备夹具上的污染颗粒的系统。该系统包括主体，该主体被配置为插入到光刻设备中，由光刻设备的工具处理器接合，并由工具处理器定位以用于由夹具夹持。清洁特征被图案化在主体的夹具面对表面。夹具面对表面上的清洁特征的位置和尺寸...

公开了一种改进的粒子束检查装置，并且更具体地，公开了一种包括改进的装载锁定单元的粒子束检查装置。一种改进的装载锁定系统可以包括被配置为支撑晶片的多个支撑结构和包括被配置为调节晶片的温度的传热元件的调节板。装载锁定系统还可以包括被配置为在...

描述一种用于光刻设备的组件，其中，所述组件被配置成通过i)提供经加热的气体、ii)辐射加热、iii)电阻加热和iv)感应加热中的一种或组合对表膜隔膜进行加热，和/或通过利用具有从约91nm至约590nm的波长的光对所述表膜隔膜进行照射，...

公开了一种用于确定与制造工艺中形成在衬底上的至少一个结构相关的感兴趣的参数的方法。该方法包括：获得与要被应用于所述结构的图案的布局相关的布局数据，所述图案包括所述至少一个结构；以及获得经训练的模型，该经训练的模型已经在量测数据和所述布局...

用于EUV光刻的隔膜组件以及光谱纯度滤光片或表膜。隔膜组件包括：隔膜，由包括氮化金属硅化物的至少一个层形成；和边界，所述边界保持所述隔膜。

提供了一种金属氧化物光致抗蚀剂组合物，其包括被选择用于清除电子动能为20eV或更低的电子的电子清除剂颗粒。还提供了一种改善金属氧化物光致抗蚀剂性能的方法，该方法包括提供一种或多种电子清除剂，其被选择用于清除金属氧化物光致抗蚀剂中电子动能...

在一个实施例中，一种或多种非暂态机器可读介质上具有指令，当处理器执行指令时，指令被配置为执行操作，该操作包括：获取训练晶片上的第一区域的扫描电子显微镜(SEM)量测数据，获取训练晶片上的第二区域的光学量测数据，以及通过使用训练晶片的SE...