【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中的描述总体上涉及光刻制造和图案化过程。更具体地，涉及掩模图案确定。
技术介绍
1、光刻投影设备可以用于（例如）集成电路（ic）的制造中。在这样的情况下，图案形成装置（例如，掩模）可以包括或提供对应于ic的单层（“设计布局”）的图案，并且可以通过诸如将已涂覆有辐射敏感材料（“抗蚀剂”）层的衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括一个或更多个管芯）辐照通过图案形成装置上的图案的方法而将这种图案转印至所述目标部分上。通常，单个衬底包括多个相邻目标部分，图案由光刻投影设备以一次一个目标部分的方式连续地转印至所述多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案在一次操作中被转印至一个目标部分上；这样的设备也可以被称为步进器。在替代设备中，步进扫描设备可以使得投影束在给定参考方向（“扫描”方向）上遍及图案形成装置进行扫描的同时，平行或反向平行于这种参考方向同步地移动衬底。将图案形成装置上的图案的不同部分逐步地转印至一个目标部分。因为，光刻投影设备通常将具有减小比率m（例如，4），所以衬底的移动速度f将是投影束扫描图案...
【技术保护点】
1.一种用于确定与光刻过程一起使用的掩模图案的计算机实施的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的计算机实施的方法，其中，所述调整基于用于优化所述掩模图案的对所述光刻过程的模拟。
3.根据权利要求1所述的计算机实施的方法，还包括：基于所述二维元件产生所述簇的轮廓，其中，所述轮廓为以下各项中的一个：所述簇的对应于所述掩模特征的外边缘的外轮廓；和所述簇的对应于所述掩模特征的内边缘的内轮廓。
4.根据权利要求3所述的计算机实施的方法，还包括：
5.根据权利要求2所述的计算机实施的方法，其中，所述轮廓至少部分地被设置为与所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于确定与光刻过程一起使用的掩模图案的计算机实施的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的计算机实施的方法，其中，所述调整基于用于优化所述掩模图案的对所述光刻过程的模拟。
3.根据权利要求1所述的计算机实施的方法，还包括：基于所述二维元件产生所述簇的轮廓，其中，所述轮廓为以下各项中的一个：所述簇的对应于所述掩模特征的外边缘的外轮廓；和所述簇的对应于所述掩模特征的内边缘的内轮廓。
4.根据权利要求3所述的计算机实施的方法，还包括：
5.根据权利要求2所述的计算机实施的方法，其中，所述轮廓至少部分地被设置为与所述二维元件的所述部位相距指定距离。
6.根据权利要求1所述的计算机实施的方法，其中，基于一个或更多个掩模规则合规性（mrc）规则来限定所述二维元件的几何形状。
7.根据权利要求6所述的计算机实施的方法，其中，所述一个或更多个掩模规则合规性规则包括最小空间要求，所述关联准则包括当用于第二二维元件的第二轮廓与用于所述簇中的所述二维元件的所述轮廓之间的距离小于所述最小空间要求时，将所述第二二维元件连接至所述簇中。
8.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗亚，卢彦文，陈炳德，拉斐尔·C·豪厄尔，张权，朱漳楠，陈晓霜，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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