【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文提供的实施例一般涉及带电粒子光学设备和方法。
技术介绍
1、在制造半导体集成电路(ic)芯片时，在制造工艺期间，由于光学效应或附带粒子等原因，衬底(即，晶片)或掩模上不可避免地会出现不期望的图案缺陷，从而降低产率。因此，监控不期望的图案缺陷的范围是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般地说，检查和/或测量衬底或其他物体/材料的表面是制造期间和/或制造之后的一个重要过程。
2、带有带电粒子束的图案检查工具已用于检查物体，例如检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子束聚焦为样品上的探测点。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致信号粒子(例如，电子)从表面发射，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。产生的信号粒子可以从样品的材料结构发射。通过将初级电子束作为探测点在样品表面上进行扫描，信号粒子可以跨样品的表面发射。通过从样品表面收集这些发射的信号粒子，图案检查工具可以获得表示样品表...
【技术保护点】
1.一种带电粒子光学设备，用于向样品位置投射带电粒子的多个射束，所述多个射束被布置成网格，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子光学设备，其中由所述多个射束传播通过所述多个条带阵列引起的所述网格的所述特性是所述网格中所述射束中的每一者的实际位置与所述网格中的所述射束的期望位置之间的差。
3.根据权利要求1或2所述的带电粒子光学设备，其中所述多个条带阵列被配置为抵消所述网格的所述特性。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述多个条带阵列中的至少一者的所述条带基于所述射束的所述路径的偏移位置来被定位。<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带电粒子光学设备，用于向样品位置投射带电粒子的多个射束，所述多个射束被布置成网格，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子光学设备，其中由所述多个射束传播通过所述多个条带阵列引起的所述网格的所述特性是所述网格中所述射束中的每一者的实际位置与所述网格中的所述射束的期望位置之间的差。
3.根据权利要求1或2所述的带电粒子光学设备，其中所述多个条带阵列被配置为抵消所述网格的所述特性。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述多个条带阵列中的至少一者的所述条带基于所述射束的所述路径的偏移位置来被定位。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的带电粒子光学设备，其中在所述条带阵列中的至少一个条带阵列中限定的用于所述射束从其穿过的狭缝的节距小于在所述条带阵列中更下游的另一个条带阵列中限定的用于所述射束从其穿过的狭缝的节距。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述多个条带阵列至少包括上游条带阵列、中间条带阵列和下游条带阵列，其中所述条带阵列各自限定用于使所述多个射束从其穿过的狭缝。
7.根据权利要求6所述的带电粒子光学设备，其中由所述上游条带阵列限定的所述狭缝的节距小于由所述中间条带阵列限定的所述狭缝的节距和/或由所述下游条带阵列限定的所述狭缝的所述节距。
8.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·W·斯莫雷恩伯格，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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