【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本描述涉及使用模块化自动编码器(或类似的)模型来估计制造过程参数的方法和系统。
技术介绍
1、光刻设备是一种用于将所需图案施加到衬底上的机器。光刻设备可用于制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投射到衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了将图案投射到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用波长在4-20nm范围内的极紫外(euv)辐射(例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。
3、低k1光刻可用于处理尺寸小于光刻设备的传统分辨率极限的特征。在这种工艺中，分辨率公式可以表示为cd＝k1×λ/na，其中λ是所用辐射的波长，na是光刻设备中投影光学器件的数值孔径，cd是“关键尺寸”(通常是印刷的最小特征尺寸，但在这种情况下是半节距)，k...
【技术保护点】
1.一种用于对潜在元素进行排序和/或选择的方法，以便在潜在空间表示内对低维数据进行建模，所述低维数据是由模型的第一模型组件确定的输入数据的降维表示；所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述优化步骤根据所述一个或多个潜在元素在所述第二模型组件的信号近似的精度方面的贡献对它们进行排序。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述排序内的第一潜在元素解释能够用仅一个参数建模的所述输入数据的最大能量。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述选择步骤包括选择所述潜在元素选择中的一者，使得当根据所选择的所述潜在元...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于对潜在元素进行排序和/或选择的方法，以便在潜在空间表示内对低维数据进行建模，所述低维数据是由模型的第一模型组件确定的输入数据的降维表示；所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述优化步骤根据所述一个或多个潜在元素在所述第二模型组件的信号近似的精度方面的贡献对它们进行排序。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述排序内的第一潜在元素解释能够用仅一个参数建模的所述输入数据的最大能量。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述选择步骤包括选择所述潜在元素选择中的一者，使得当根据所选择的所述潜在元素选择进行建模时，所述输入数据的所述信号能量被所述低维数据最大化。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述训练步骤包括针对每个潜在元素选择，将所述第二模型组件的所述输出与所述输入数据进行比较。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述训练步骤包括针对每个潜在元素选择，最小化所述第二模型组件的所述输出和所述输入数据之间的差异。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中执行所述训练和选择步骤以优化所述模型，用以使用所述潜在元素选择来推断一个或多个感兴趣的参数。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述一个或多个感兴趣的参数包括以下中的一项或多项：套刻、蚀刻倾斜度、层厚度、光栅不平衡、边缘放置误差、关键尺寸、任何一...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·奥诺塞，N·弗赫尔，B·J·M·铁梅斯玛，P·塞尔方丹，D·巴比里，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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