半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体封装装置，其包括衬底、光发射器、光检测器及透明导电薄膜。所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述光发射器安置于所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的光发射区域。所述光检测器安置于所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的光接收区域。所述透明导电薄膜安置于所述衬底的所述第二表面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法
本专利技术涉及一种半导体封装装置，且更特定来说，涉及一种包含心动电流描记法(electrocardiography；ECG)检测装置的半导体封装装置。
技术介绍
在ECG检测装置中，ECG信号使用光发射器及光检测器来测量。为增大ECG的测量结果的精确度及准确度，可通过光学方式及电方式两者测量ECG信号。在包含光学检测组件及电检测组件两者的ECG检测装置中，光发射器及光检测器安置于衬底上，且导电盖板放置于所述衬底上，其增加所述检测装置的整体大小及制造所述检测装置的复杂度。此外，为避免光发射器与光检测器之间的串扰，阻光壁安置于所述衬底上且光发射器与光之间。然而，从光发射器发射的光可立即经由所述阻光壁下面的过度渗出的透明模制化合物被光检测器接收，而不传播通过身体，其可导致检测装置故障。
技术实现思路
在一些实施例中，根据本专利技术的方面，一种半导体封装装置包括衬底、光发射器、光检测器及透明导电薄膜。所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述光发射器安置于所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的发光区域。所述光检测器安置于所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的光接收区域。所述透明导电薄膜安置于所述衬底的所述第二表面上。所述半导体封装装置可包括安置于所述衬底内且所述光发射器与所述光检测器之间的阻光元件。在一些实施例中，根据本专利技术的另一方面，一种半导体封装装置包括不透光层、第一电子组件、衬底，及透明导电薄膜。所述不透光层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电子组件安置于所述不透光层内且邻接于所述不透光层的所述第一表面。所述第一电子组件的主动表面的至少一部分被所述不透光层曝露。所述衬底安置于所述不透光层的所述第一表面上。所述衬底经配置以使光透射。透明导电薄膜安置于所述衬底上。所述半导体封装装置可进一步包括第二电子组件，其安置于所述不透光层内且邻接于所述不透光层的所述第一表面。所述第二电子组件的主动表面的至少一部分由所述不透光层曝露。所述第二电子组件的所述主动表面经配置以接收从所述第一电子组件的所述主动表面发射的光。所述半导体封装装置可进一步包括安置在所述衬底内且所述第一电子组件与所述第二电子组件之间的阻光元件。在一些实施例中，根据本专利技术的另一方面，一种用于检测身体信息的方法包括：提供衬底，所述衬底包括在所述衬底的第一表面上的第一导电层；从所述衬底的与身体的第一部分接触的所述第一导电层检测第一电位；通过光发射器发射光，所述光穿过所述衬底到达所述身体的所述第一部分；及通过光检测器检测从所述身体的所述第一部分反射的所述光。附图说明当结合附图阅读时，从以下具体实施方式最佳地理解本专利技术的一些实施例的方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述清晰起见任意增大或减小。图1A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图1B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的仰视图。图2说明根据本专利技术的一些实施例的ECG检测装置。图3A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装制造工艺的一或多个阶段。图3B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装制造工艺的一或多个阶段。图3C说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装制造工艺的一或多个阶段。图3D说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装制造工艺的一或多个阶段。图3E说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装制造工艺的一或多个阶段。图3F说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装制造工艺的一或多个阶段。贯穿图式及具体实施方式使用共同参考编号以指示相同或相似组件。结合随附图式，从以下具体实施方式可最好地理解本专利技术。具体实施方式图1A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置1的横截面视图。所述半导体封装装置1包含不透光层10，电子组件11、12，衬底13，阻光元件14，透明导电薄膜15及至少一个导电元件16。衬底13具有表面131及与所述表面131相对的表面132。在一些实施例中，衬底13的表面131被称为下表面或第一表面，而衬底13的表面132被称为顶表面或第二表面。衬底13的材料可经选择以允许由电子组件11及/或12发射或接收的光透射。在一些实施例中，衬底13是玻璃衬底。电子组件11安置于衬底13的下表面131上。在一些实施例中，电子组件11可为光发射器或发光装置，例如发光二极管(light-emittingdiode；LED)或其它发光裸片。举例来说，电子组件11可包含(例如)LED、激光二极管、可包含一或多个半导体层的另一装置，或其两者或多于两者的组合。半导体层可包含硅、碳化硅、氮化镓或任何其它半导体材料。电子组件11可例如借助于倒装芯片或导线接合技术连接到衬底13。电子组件11具有朝向衬底13的下表面131的发光区域111(也被称作主动表面)。电子组件11的发光区域111由底部填充件11u覆盖或囊封。底部填充件11u的材料经选择以允许通过电子组件11发射的光透射。在一些实施例中，底部填充件11u包含环氧树脂。电子组件12安置于衬底13的下表面131上，且与电子组件11实体上分离。在一些实施例中，电子组件12可为光检测器，其例如可为PIN二极管、光电二极管，或光晶体管。电子组件12可例如借助于倒装芯片或导线接合技术连接到衬底13。电子组件12具有朝向衬底13的下表面131的光接收区域121(也被称作主动表面)。电子组件12的光接收区域121由底部填充件12u覆盖或囊封。底部填充件12u的材料经选择以允许通过电子组件12接收的光透射。在一些实施例中，底部填充件12u包含环氧树脂。不透光层10安置于衬底13的下表面131上以覆盖或囊封电子组件11、12。不透光层10曝露电子组件11的发光区域111及电子组件12的光接收区域121。在一些实施例中，不透光层10可有助于防止通过电子组件11发射的光立即透射到电子组件12而不传播通过身体。在一些实施例中，不透光层10可由黑色模制化合物形成或至少包含黑色模制化合物。透明导电薄膜15安置于衬底13的顶表面132上。透明导电薄膜15是由光学透明导电材料形成或包含光学透明导电材料。透明导电薄膜15允许通过电子组件11发射且通过电子组件12接收的光透射。在一些实施例中，透明导电薄膜15包括透明导电氧化物(transparentconductiveoxide；TCO)(例如，氧化铟锡(indiumtinoxide；ITO))、导电聚合物、金属栅格、碳纳米管(carbonnanotube；CNT)、石墨烯、纳米线网格、超薄金属薄膜，或其两者或多于两者的组合。阻光元件14安置于衬底13内且电子组件11与电子组件12之间。阻光元件14大体上不透光以防止通过电子组件11发射的非期望的光被立即透射到电子组件12而不传播通过身体。阻光元件14是导电的，且穿过衬底13以将透明导电薄膜15与安置于衬底13的下表面131上的导电衬垫13c电连接。在一些实施例中，阻光元件14是石墨烯。在一些实施例中，如在说明图1A中所示的半导体封装装置1的仰视图的图1B中所展示，阻光元件14可包围电子组件11及12以阻止电子组件11及12被非期望的外部光干扰。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装装置，其包括：衬底，所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；光发射器，所述光发射器是在所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的发光区域；光检测器，所述光检测器是在所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的光接收区域；及透明导电薄膜，其在所述衬底的所述第二表面上。

【技术特征摘要】
2017.06.09 US 15/619,4141.一种半导体封装装置，其包括：衬底，所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；光发射器，所述光发射器是在所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的发光区域；光检测器，所述光检测器是在所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的光接收区域；及透明导电薄膜，其在所述衬底的所述第二表面上。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述透明导电薄膜包括透明导电氧化物、导电聚合物、金属栅格、碳纳米管、石墨烯、纳米线网格或超薄金属薄膜。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括安置于所述衬底内且所述光发射器与所述光检测器之间的阻光元件。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中所述衬底进一步包括邻接于所述衬底的所述第一表面的导电层，且所述导电层经由所述阻光元件电连接到所述透明导电薄膜。5.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中所述阻光元件包括石墨烯。6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括：第一透明层，所述第一透明层是在所述光发射器与所述衬底的所述第一表面之间；第二透明层，所述第二透明层是在所述光检测器与所述衬底的所述第一表面之间。7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中所述第一透明层及所述第二透明层是底部填充件。8.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其进一步包括所述衬底的所述第一表面上的不透光层以覆盖所述光发射器、所述光检测器、所述第一透明层及所述第二透明层的至少一部分。9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中所述不透光层包括模制化合物。10.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述衬底是玻璃衬底。11.一种半导体封装装置，其包括：不透光层，所述不透光层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一电子组件，所述第一电子组件是在所述不透光层内且邻接于所述不透光层的所述第一表面，其中所述第一电子组件的主动表面的至少一部分由所述不透光层曝露；衬底，所述衬底是在所述不透光层的所述第一表面上，其中所述衬底经配置以使光透射；及所述衬底上的透明导电薄膜。12.根据权利要求11所述的半导体封装装置，其中所述透明导电薄膜包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄政羚，陈盈仲，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71