一种应用于SOT23半导体封装的集成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种应用于SOT23半导体封装的集成电路，包括引线框架、倒装芯片和塑封体，所述倒装芯片上具有集成电路，至少包含两个串联的功率场效应晶体管和一个控制回路芯片，所述倒装芯片的连接凸点与引线框架上的焊盘电连接，并倒装在引线框架上。直接焊接可以明显降低电阻、电感和寄生电容值，并减少芯片内部的阻性损耗和开关损耗，更好地降低发热量，所有的引脚都可以当做散热片来提高散热效率，不易形成芯片中间热点现象。采用倒装封装的集成电路体积小，负载能力高，成本低廉，非常适用于机顶盒、计算机接口设备、LCD显示器和电视等电子产品。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于SOT23半导体封装的集成电路
本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种应用于SOT23半导体封装的集成电路。
技术介绍
在电信通信及电脑等消费性电子产品的蓬勃发展下，广泛应用于其上的电源供应器及电源转换器重要性也随之增加，不仅在体积重量上要轻薄短小，在效能及使用寿命上也要更好更长。目前的电源转换器，大多设计将所有的元件平面铺设在同一单芯片上或使用多个芯片组合,但最后皆封装于同一个封装引线框架上。如图1所示，传统的SOT-23封装是以打线的方式将芯片和引线框架连接起来的，所用的连线一般是25-38um的金线或铜线，受到线径的限制，此种封装不能通过太大的电流，也不能很好地实现热传导的效果，应用范围受到限制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种有效降低封装的热阻和电阻，具有更好的电性表现和优化的散热能力的应用于SOT23半导体封装的集成电路。本技术是这样实现的：一种应用于SOT23半导体封装的集成电路，包括引线框架、倒装芯片和塑封体，所述倒装芯片上具有集成电路，至少包含两个串联的功率场效应晶体管和一个控制回路芯片，所述倒装芯片的连接凸点与引线框架上的焊盘电连接，并倒装在引线框架上。其中，所述倒装芯片上的连接凸点为铜柱，所述引线框架表面覆盖有绝缘层，所述绝缘层上设有多个开口，以使引线框架相应的引脚部分暴露出来，所述开口与铜柱位置相对应。其中，所述铜柱直径为50-100μm。其中，所述绝缘层厚度为10μm。本技术的有益效果为：所述应用于SOT23半导体封装的集成电路，包括引线框架、倒装芯片和塑封体，所述倒装芯片上具有集成电路，至少包含两个串联的功率场效应晶体管和一个控制回路芯片，形成电源降压器，所述倒装芯片的连接凸点与引线框架上的焊盘电连接，并倒装在引线框架上，直接焊接可以明显降低电阻、电感和寄生电容值，并减少芯片内部的阻性损耗和开关损耗，更好地降低发热量，所有的引脚都可以当做散热片来提高散热效率，不易形成芯片中间热点现象。采用倒装封装的集成电路体积小，负载能力高，成本低廉，非常适用于机顶盒、计算机接口设备、LCD显示器和电视等电子产品。附图说明图1是现有技术中SOT23封装的电源降压器集成电路的结构示意图；图2是本技术所述应用于SOT23半导体封装的集成电路实施例的结构示意图；图3是本技术所述应用于SOT23半导体封装的集成电路实施例的剖面示意图。其中，1、引线框架；11、绝缘层；12、开口；13、焊盘；2、金线；3、芯片；4、塑封体；5、倒装芯片；51、连接凸点。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。作为本技术所述应用于SOT23半导体封装的集成电路实施例，如图2和图3所示，包括引线框架1、倒装芯片5和塑封体4，所述倒装芯片5上具有集成电路，至少包含两个串联的功率场效应晶体管和一个控制回路芯片，所述倒装芯片5的连接凸点51与引线框架1上的焊盘13电连接，并倒装在引线框架1上。所述应用于SOT23半导体封装的集成电路，包括引线框架1、倒装芯片5和塑封体4，所述倒装芯片5上具有集成电路，至少包含两个串联的功率场效应晶体管和一个控制回路芯片，形成电源降压器，所述倒装芯片5的连接凸点51与引线框架1上的焊盘13电连接，并倒装在引线框架1上，直接焊接可以明显降低电阻、电感和寄生电容值，并减少倒装芯片5内部的阻性损耗和开关损耗，更好地降低发热量，所有的引脚都可以当做散热片来提高散热效率，不易形成芯片中间热点现象。采用倒装封装的集成电路体积小，负载能力高，可以达到3.5A的输出，成本低廉，非常适用于机顶盒、计算机接口设备、LCD显示器和电视等电子产品。在本实施例中，所述倒装芯片5上的连接凸点51为铜柱，所述引线框架1表面覆盖有绝缘层11，所述绝缘层11上设有多个开口12，以使引线框架1相应的引脚部分暴露出来，所述开口12与铜柱位置相对应。开口12处暴露出来的引脚部分与铜柱焊接，绝缘层11可以阻止焊料从焊接位置流走，避免因熔融的焊料从焊接位置流失而引起铜柱与引脚部分的不良接触，可以增加焊料的量，以增加铜柱和引线框架之间焊接强度。在本实施例中，所述铜柱直径优选值为50-100μm；所述绝缘层厚度优选值为10μm。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于SOT23半导体封装的集成电路，其特征在于，包括引线框架、倒装芯片和塑封体，所述倒装芯片上具有集成电路，至少包含两个串联的功率场效应晶体管和一个控制回路芯片，所述倒装芯片的连接凸点与引线框架上的焊盘电连接，并倒装在引线框架上。

【技术特征摘要】
1.一种应用于SOT23半导体封装的集成电路，其特征在于，包括引线框架、倒装芯片和塑封体，所述倒装芯片上具有集成电路，至少包含两个串联的功率场效应晶体管和一个控制回路芯片，所述倒装芯片的连接凸点与引线框架上的焊盘电连接，并倒装在引线框架上。2.根据权利要求1所述应用于SOT23半导体封装的集成电路，其特征在于，所述倒装芯片上的连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，郑天凤，朱仕镇，韩壮勇，朱文锋，吴富友，刘志华，刘群英，朱海涛，张团结，王鹏飞，曹丙平，周贝贝，
申请(专利权)人：深圳市三联盛科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44