封装结构、封装方法与光电设备技术

技术编号:14993299 阅读:124 留言:0更新日期:2017-04-03 23:32
本发明专利技术提供了一种封装结构、封装方法与光电设备。该封装结构包括:基板、金属箔层、聚硅氮烷系化合物部、发光器件、第一粘结层、封装胶部、第二粘结层与盖板,其中,金属箔层与基板相对设置,且与基板之间具有间隔;聚硅氮烷系化合物部设置在间隔中,且聚硅氮烷系化合物部、基板与金属箔层形成密闭空间;发光器件设置在密闭空间中,并设置在基板的表面上;第一粘结层设置在发光器件的远离基板的表面上,用于粘结发光器件与金属箔层;封装胶部围绕聚硅氮烷系化合物部设置在间隔中;第二粘结层设置在金属箔层的远离聚硅氮烷系化合物部的表面上;盖板设置在第二粘结层的远离金属箔层的表面上。该封装结构能够很好地阻隔水汽与氧气且有较好的柔韧性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及封装领域,具体而言,涉及一种封装结构、封装方法与光电设备
技术介绍
随着信息社会的发展,显示信息的显示器件得到广泛发展。电致发光器件中的OLED与QLED现在正被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器与全彩电视等设备中,并且,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。但是,电致发光器件中有一些材料,例如衬底的材料通常为PET、PEN、PES、PI与PC,这些材料都为聚合物,材料本身自由体积分数较小且链段平均自由度较大,导致其水/氧渗透率较大,电致发光器件对于大气中的污染物、氧气以及水汽都十分敏感,在含有水汽的环境中容易发生电化学腐蚀,严重影响电致发光器件的使用寿命。因此OLED对封装的要求非常高,为了满足其使用寿命的要求,需满足水汽渗透率≦10-6g/m2/day和氧气渗透≦10-5cc/m2/day(1atm)的封装要求。目前,主要通过封装的方式来提高电致发光器件内部的密封性,降低水汽渗透率与氧气渗透率,保证电致发光器件具有较长的使用寿命。传统的电致发光器件封装方式有两种:第一种是在电致发光器件上设置盖板,并在盖板内侧贴附干燥剂,再通过环氧树脂等密封胶将电致发光器件的基板和盖板相结合。第二种是在电致发光器件上设置盖板,并在盖板内部填充液态干燥剂,再通过环氧树脂等密封胶将基板和盖板相结合。上述的第一种封装方式虽然有效地减缓了水汽对器件的腐蚀,但当干燥剂吸水量达到饱和后,水汽又可以进入器件内部,还是会对器件造成腐蚀。并且,该方法通常采用的盖板为凹槽盖板,这种盖板只适合小尺寸生产,不适合大尺寸生产,其耐冲击性能差,且这种封装方式需要精密的真空设备及监测仪器来保证盖板内部与外部压力相等,否则器件的密封性较差。第二种封装方式虽然可以有效的阻止水汽进入器件内部,但液态干燥剂成本太高,除了器件内边缘液态干燥剂起到了阻挡水氧的功能,其他大部分液态干燥剂都只起到填充作用,造成了严重的资源浪费。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种封装结构、封装方法与光电设备,以解决现有技术中的封装结构不能较好地阻隔水汽的问题。为了实现上述目的,根据本专利技术的一个方面,提供了一种封装结构,该封装结构包括:基板、金属箔层、聚硅氮烷系化合物部、发光器件、第一粘结层、封装胶部、第二粘结层与盖板,其中,金属箔层与上述基板相对设置,且与上述基板之间具有间隔;聚硅氮烷系化合物部设置在上述间隔中,且上述聚硅氮烷系化合物部、上述基板与上述金属箔层形成密闭空间;发光器件设置在上述密闭空间中,并设置在上述基板的表面上;第一粘结层设置在上述发光器件的远离上述基板的表面上,用于粘结上述发光器件与上述金属箔层;封装胶部围绕上述聚硅氮烷系化合物部设置在上述间隔中;第二粘结层设置在上述金属箔层的远离上述聚硅氮烷系化合物部的表面上;盖板设置在上述第二粘结层的远离上述金属箔层的表面上。进一步地,上述第一粘结层与上述第二粘结层各自独立地选自热熔胶层,优选上述热熔胶层为EVA层、PA层、PES层、PO层与TPU层中的一种或多种。进一步地,上述基板为柔性基板,上述盖板为柔性盖板。进一步地,上述第一粘结层与上述第二粘结层的厚度均在600~1000nm之间。进一步地,上述聚硅氮烷系化合物部为全氢聚硅氮烷部。进一步地,上述聚硅氮烷系化合物部的厚度在400~1000nm之间。进一步地,上述金属箔层的厚度在0.02~0.3mm之间,优选上述金属箔层为铝箔层、铜箔层、不锈钢箔层与锡箔层中的一种或多种。为了实现上述目的,根据本专利技术的一个方面,提供了一种封装方法,该封装方法包括:在基板的第一基板表面上设置发光器件;在上述发光器件的远离上述基板的表面上设置第一粘结层;在上述第一基板表面上围绕上述第一粘结层设置上述聚硅氮烷系化合物部;在上述第一基板表面上围绕上述聚硅氮烷系化合物部设置封装胶部,上述基板、上述发光器件、上述第一粘结层、上述聚硅氮烷系化合物部与上述封装胶部形成基板单元;在盖板的表面设置第二粘结层;在上述第二粘结层的远离上述盖板的表面设置金属箔层,上述盖板、上述第二粘结层与上述金属箔层形成盖板单元;使上述金属箔层与上述第一粘结层相对,将上述基板单元与上述盖板单元压合。进一步地,上述第一粘结层与上述第二粘结层各自独立地选自热熔胶层,优选上述热熔胶层为EVA层、PA层、PES层、PO层与TPU层中的一种或多种。进一步地,上述基板为柔性基板,上述盖板为柔性盖板,采用塑封设备将上述盖板单元与上述基板单元压合。进一步地,上述塑封设备包括前导辊与后胶辊,将上述基板单元与上述盖板单元压合的步骤包括:将上述基板单元中的上述第一粘结层与上述盖板单元中的上述金属箔层贴合,形成第一预封装结构;采用上述前导辊对上述第一预封装结构加热加压,形成第二预封装结构;采用上述后胶辊对上述第二预封装结构冷却调平,形成封装结构。进一步地,将上述基板单元与上述盖板单元压合之前,上述封装方法包括采用塑封设备对上述盖板单元进行塑封处理。根据本专利技术的另一方面,提供了一种光电设备,包括封装结构,该封装结构为上述的封装结构。应用本专利技术的技术方案,封装结构同时包括聚硅氮烷系化合物部与金属箔层,能够更好地起到阻隔水汽与氧气的作用。其中,聚硅氮烷系化合物部包围在发光器件的外侧,聚硅氮烷系化合物部的结构中存在大量反应性基团Si-H和N-H,可以在常温下与水和氧气反应,形成致密性二氧化硅,因而防水性能好,能够阻挡水氧从封装结构的侧面进入封装结构的内部,避免了封装结构内部的发光器件的性能受到影响,保证了发光器件具有良好的性能;同时,在封装结构中设置金属箔层,金属箔的较好的致密性使得发光器件不容易被水汽与氧气入侵,具有优异的水/氧阻隔性能,其水汽渗透率小于1×10-5g/m2/d、氧气渗透率小3×10-4cc/m2/d,这样金属箔层可以从发光器件的正面阻挡水和氧气进入发光器件中,保证了发光器件具有较长的寿命;并且,金属箔层具有优异的耐热性能,且其热膨胀系数很低,具有较好的柔韧性,提高了封装结构的柔韧性,扩大了其应用的领域。附图说明构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1示出了本专利技术的一种典型的实施方式提供的封装结构的剖面示意图;以及图2示出了一种实施例提供的封装结构的剖面示意图。其中,上述附图包括以下附图标记:1、基板;2、发光器件;3、第一粘结层;4、金属箔层;5、第二粘结层;本文档来自技高网
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封装结构、封装方法与光电设备

【技术保护点】
一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:基板(1);金属箔层(4),与所述基板(1)相对设置,且与所述基板(1)之间具有间隔;聚硅氮烷系化合物部(7),设置在所述间隔中,且所述聚硅氮烷系化合物部(7)、所述基板(1)与所述金属箔层(4)形成密闭空间;发光器件(2),设置在所述密闭空间中,并设置在所述基板(1)的表面上;第一粘结层(3),设置在所述发光器件(2)的远离所述基板(1)的表面上,用于粘结所述发光器件(2)与所述金属箔层(4);封装胶部(8),围绕所述聚硅氮烷系化合物部(7)设置在所述间隔中;第二粘结层(5),设置在所述金属箔层(4)的远离所述聚硅氮烷系化合物部(7)的表面上;以及盖板(6),设置在所述第二粘结层(5)的远离所述金属箔层(4)的表面上。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
基板(1);
金属箔层(4),与所述基板(1)相对设置,且与所述基板(1)之间具有间隔;
聚硅氮烷系化合物部(7),设置在所述间隔中,且所述聚硅氮烷系化合物部(7)、
所述基板(1)与所述金属箔层(4)形成密闭空间;
发光器件(2),设置在所述密闭空间中,并设置在所述基板(1)的表面上;
第一粘结层(3),设置在所述发光器件(2)的远离所述基板(1)的表面上,用于
粘结所述发光器件(2)与所述金属箔层(4);
封装胶部(8),围绕所述聚硅氮烷系化合物部(7)设置在所述间隔中;
第二粘结层(5),设置在所述金属箔层(4)的远离所述聚硅氮烷系化合物部(7)
的表面上;以及
盖板(6),设置在所述第二粘结层(5)的远离所述金属箔层(4)的表面上。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一粘结层(3)与所述第二粘结层
(5)各自独立地选自热熔胶层,优选所述热熔胶层为EVA层、PA层、PES层、PO层与
TPU层中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基板(1)为柔性基板,所述盖板(6)
为柔性盖板。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述第一粘结层(3)与所述第二粘结层
(5)的厚度均在600~1000nm之间。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述聚硅氮烷系化合物部(7)为全氢聚
硅氮烷部。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述聚硅氮烷系化合物部(7)的厚度在
400~1000nm之间。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述金属箔层(4)的厚度在0.02~0.3mm
之间,优选所述金属箔层(4)为铝箔层、铜箔层、不锈钢箔层与锡箔层中的一种或多种。

【专利技术属性】
技术研发人员:甄常刮
申请(专利权)人:纳晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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