【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，包含有：一半导体基底，具有一主表面；至少一有源区，设在所述半导体基底的所述主表面；一浅沟槽隔离，隔离所述有源区，其中所述浅沟槽隔离的上表面低于所述主表面一预定深度，显露出所述有源区的一侧壁；一垂直接面掺杂井，设在该显露出的所述有源区的所述侧壁上；以及一源极/漏极区域，设在所述半导体基底的所述主表面，其中所述垂直接面掺杂井与所述源极/漏极区域衔接并共同构成一三维立体接面。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李宗翰，施能泰，胡耀文，
申请(专利权)人：华亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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