一种半导体结构及其形成方法，结构包括：待键合晶圆，包括：衬底；位于衬底上的器件层；位于器件层上的第一金属结构，包括：位于第一区器件层上的第一金属层，位于第一区器件层上的第二金属层，位于第二区器件层上第三金属层，位于第二区器件层上第四金属...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：待键合晶圆，包括：衬底；位于器件层上的第一金属结构，包括位于第一区第一金属层和第二金属层、位于第二区的第三金属层和第四金属层以及与第一金属层相接触的第一外延金属层；位于第一金属结构上的第二金属结构，...

一种测试结构以及测试方法，测试结构包括：多个相同的单元器件，沿第一方向和第二方向呈阵列排布，第一方向和第二方向之间具有非零夹角，沿第一方向位于同一排的单元器件构成第一测试组，沿第二方向位于同一排的单元器件构成第二测试组，每个单元器件包括...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：键合晶圆，键合晶圆包括第一晶圆和倒置键合于第一晶圆上的第二晶圆，第二晶圆包括衬底、以及位于衬底上的介电层，衬底位于介电层背向第一晶圆的一侧，介电层中形成有第一互连结构；互连通孔结构，从衬底一侧贯穿衬...

一种获取离子掺杂工艺参数及半导体结构的形成方法，方法包括：获取栅介质层的实际厚度；获取栅介质层的厚度值与预设离子掺杂工艺的离子掺杂工艺参数的映射关系，映射关系为在预设电性参数的值为相同值的条件下，栅介质层的不同厚度值对应的离子掺杂工艺参...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底包括电容区，电容区包括交替排布的第一子区域和第二子区域；介电层，生长于电容区的基底上，位于第一子区域和第二子区域的介电层的生长厚度不同，且厚度不同的介电层围成第一凹槽；第一电极层，保...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，所述基底中形成有浅槽隔离结构，在相邻浅槽隔离结构之间的基底区域为有源区；栅介质层，覆盖所述浅槽隔离结构的表面、以及所述有源区的基底顶面和拐角处，所述栅介质层包括采用沉积工艺形成的第一栅介...

一种电压控制电路，所述电压控制电路包括：电压控制主路；所述电压控制主路包括：与电压输入端连接的第一级二极管单元，以及与所述第一级二极管单元串联的第一淬灭电阻；其中：所述第一级二极管单元，包括至少一个单光子雪崩二极管SPAD，用于探测光信...

本申请提供一种大尺寸拼接产品的光罩及在线量测定位的方法，其中所述大尺寸拼接产品的光罩包括：至少两个尺寸相同的非像素图像区；每个所述非像素图像区仅在一个角上设置锁定角图案，且不同非像素图像区上的所述锁定角图案设置在相同的位置；采用所述光罩...

本申请提供一种拼接产品的光罩及在线检测并调控层间对准情况的方法，所述光罩包括：至少两个功能不同但尺寸相同的曝光单元区；其中至少一个所述曝光单元区中设置有用于在线检测层间对准情况的套刻精度标识，且所述套刻精度标识位于所述曝光单元区的芯片区...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括沟道区域以及位于所述沟道区域两侧的源漏区域；在所述沟道区域的基底中形成一个或多个凹槽；在所述沟道区域的所述基底顶部和所述凹槽中形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的所述源漏区域的基...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括用于形成MOS晶体管的沟道区域以及位于所述沟道区域两侧的源漏区域；在所述衬底中形成阱区，所述阱区的顶部与所述衬底的顶部相齐平、以及在所述源漏区域的衬底中形成轻掺杂漏区，所述轻掺...

本申请提供一种大尺寸拼接产品的光罩及在线量测定位的方法，其中所述大尺寸拼接产品的光罩包括：至少两个功能不同但尺寸相同的曝光单元区；每个所述曝光单元区的四个角上均设置有镜像对称的锁定角图案，且所述锁定角图案位于所述曝光单元区的芯片区；采用...

本申请提供晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括主体区、修边区和洗边区，所述第一晶圆表面形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有第一金属连接结构，所述洗边区的部分第一介质层被去除形成第一缺口；第二晶圆，所述第...

一种掩模板及其组件、半导体结构及其形成方法和量测方法，由包括第一掩模板和第二掩模板的掩模组件所构成的半导体结构包括：第二图形化金属层，所述第二图形化金属层包括：至少1个第一量测结构组和至少1个第二量测结构组；根据所述第二图形化金属层的至...

一种检测模型的建立方法和应用方法，建立方法包括：提供第一晶圆，包括相对的第一面和第二面；在第一晶圆第一面内形成若干第一凹槽；提供第二晶圆，包括相对的三面和第四面；将第二晶圆与第一晶圆键合，第二晶圆的第三面朝向第一晶圆的第一面；获取若干第...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底、以及位于第一衬底上的第一介电层，第一介电层中形成有第一互连结构；在第一互连结构的顶面形成第一键合层，第一键合层的底部与第一顶层互连层的顶部相电连接；提供第二晶圆，...

一种图像传感器和图像传感器的形成方法，图像传感器包括：衬底，衬底包括相对的第一面和第二面，衬底包括若干像素区和环绕像素区的隔离区，衬底包括第一区、第二区以及位于第一区和第二区之间的埋层，第一区内和第二区内具有第一离子，埋层内具有第二离子...

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层，第一介质层内具有电容凹槽；在电容凹槽内形成电容结构，电容结构包括位于电容凹槽的侧壁和底部表面的第一电极层，位于第一电极层上的绝缘层，位于绝缘层上的第二电极层...

一种掩模板及其组件、半导体结构及其形成方法和量测方法，所述掩模组件中，所述第一对准图形和所述第二对准图形，分别包括外延触角和内延触角；将所述掩模组件的图形转移至所述基底上时，所对应的外延触角和内延触角能够有效提高图形拼接的精度和准度，还...