本申请提供一种半导体物料搬运系统，所述系统包括：依次连接形成回路的第一主轨道、第二主轨道、第三主轨道和第四主轨道；环形支轨，所述环形支轨的两端通过连接轨分别与所述第一主轨道和第三主轨道连接；若干第一机台和第二机台，分别设置于所述环形支轨...

本申请提供锗光电探测器及其形成方法，所述方法包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、绝缘层和顶硅层，所述SOI衬底包括第一波导区、第二波导区和探测器区；在所述第一波导区、第二波导区和探测器区的顶硅层中分别形成第一沟槽、第二沟槽和...

一种存储器及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成隧穿介质层；在所述隧穿介质层上形成浮栅；在所述浮栅上形成薄膜介质层，所述薄膜介质层的材料包括氧化铝，所述氧化铝的形成工艺所采用的氧化剂含有氢原子；在所述复合介质层上形...

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆的表面包括分立的金属层，所述晶圆和所述金属层的表面还包括第一介质层；在部分所述金属层的表面形成贯穿所述第一介质层的第一通孔连线和第二通孔连线，且所述第一通孔连线的...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括存储区，存储区包括有源区和隔离区；在隔离区形成初始隔离结构，相邻的初始隔离结构之间具有暴露出有源区表面的第一凹槽；在第一凹槽内形成隧穿氧化层和隧穿氧化层上的浮栅极层；采用第一刻蚀工艺对初...

一种生产车间的运行轨道，所述生产车间包括多个加工区，所述加工区中设置有多个机台组，所述机台组包括多个机台，其特征在于，所述运行轨道用于固定悬空传输装置、并使所述悬空传输装置沿所述运行轨道进行传输，运行轨道包括：主运行轨道，位于加工区的边...

一种半导体结构的形成方法，包括：在存储区上形成初始存储栅结构层；在初始存储栅结构层和逻辑区上形成初始逻辑栅结构层，存储区上的初始逻辑栅结构层表面高于逻辑区上的初始逻辑栅结构层表面；在初始逻辑栅结构层上形成辅助材料层，存储区上的辅助材料层...

一种封装方法，包括：提供多个晶圆，晶圆包括键合面，晶圆包括第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆和/或第二晶圆进行边缘减薄处理，从键合面一侧沿第一晶圆和/或第二晶圆的边缘减薄部分宽度的晶圆，使得第一晶圆和/或第二晶圆边缘的厚度小于其余部分的厚度...

本申请提供一种晶圆减薄方法、金属标记的形成方法及晶圆结构，所述晶圆减薄方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆包括衬底和位于所述衬底上的键合层；对所述第二晶圆的键合层和部分衬底进行修边处理；将所述键合层和第一晶圆进行键合，并去除所...

一种封装方法，包括：提供多个晶圆，晶圆包括键合面，晶圆包括第一晶圆和第二晶圆；在晶圆背向键合面的面形成应力平衡层，用于平衡晶圆的应力，所述应力包括拉应力或压应力；将第一晶圆与第二晶圆相键合，第一晶圆的键合面与第二晶圆的键合面相对设置；将...

本申请提供一种晶圆键合方法、金属标记的形成方法、晶圆结构及晶圆修边刀具，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括衬底和位于所述衬底上的键合层；对所述第一晶圆的键合层和修边区衬底进行修边处理，其中修边宽度自所述键合层...

一种掩模板及其组件、半导体结构及其形成方法和量测方法，所述掩模板包括：至少1个量测图形结构，所述量测图形结构包括：梳状图形、半链状图形和T型图形中的至少1个；对述掩模板所构成掩模组件所形成的半导体结构进行量测时，根据所述至少1个第一定位...

一种微缺陷测量结构及其测量方法，其中测量方法包括：在暗场环境下，对基准晶圆中的各个基准雪崩二极管器件分别多次施加反向参考电压，获取各个基准雪崩二极管器件发生雪崩击穿的第一雪崩概率值；根据若干第一雪崩概率值，获得基准晶圆的基准雪崩概率密度...

一种图像传感器及其形成方法，其结构包括：衬底，衬底包括相对的第一面和第二面；位于衬底内的若干相互分立的光电掺杂区和相邻光电掺杂区之间的深隔离结构；位于第一面上的光子晶体结构层；位于光子晶体结构层上的金属栅格，金属栅格在衬底表面的投影位于...

一种半导体芯片、晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法，半导体芯片包括键合面，半导体芯片包括：衬底，包括器件区以及环绕器件区的密封环区；密封环结构，位于密封环区的衬底上方且位于键合面一侧，密封环结构包括多个依次环绕器件区且间隔设置的子密封...

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构，包括：第一晶圆，第一晶圆包括第一芯片区和第一切割道区，第一晶圆的第一面上的第一切割道区上具有第一对准标记，第一晶圆的第二面上的阻挡层，第一面和第二面相对设置；与第一晶圆的第二面键合的第二晶圆，...

本申请提供一种MOS电容器及其形成方法，所述电容器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干用于隔离有源区的隔离结构；离子注入区，位于所述有源区中；若干凹陷结构，位于所述离子注入区表面，用于增加所述离子注入区的表面积；栅氧层和栅极层，...

一种栅氧化层完整性的测试方法及装置、WAT测试装置。所述方法用于对第一晶圆中第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试；所述方法包括：获取所述第一曝光场区中GOI测试键的失效模式数据信息；所述失效模式数据信息包括：所述GOI测试键的栅端焊接区在...

本申请提供一种半导体物料搬运系统，所述系统包括：相互平行设置的第一主轨道和第二主轨道，以及位于所述第一主轨道和第二主轨道之间且连接所述第一主轨道和第二主轨道的第一副轨道和第二副轨道；晶圆存储架，靠近所述第一副轨道与所述第二主轨道连接的连...

一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括第一低压工作区和第二低压工作区，第一低压工作区用于形成超高阈值电压晶体管结构，第二低压工作区用于形成标准阈值电压晶体管结构；位于第一低压工作区上的第一栅极结构，第一栅极结构...