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中芯国际集成电路制造北京有限公司专利技术
中芯国际集成电路制造北京有限公司共有2610项专利
图像传感器及其形成方法技术
一种图像传感器及其形成方法,其中方法包括:提供器件结构,器件结构包括第一衬底和第二衬底,第一衬底和第二衬底键合,第一衬底内具有导电层和若干像素结构,第二衬底内具有器件结构以及与器件结构电连接的电互连层;在第一衬底内形成开口,且开口暴露出...
晶圆混合键合结构及方法技术
一种晶圆混合键合结构及方法,其中方法包括:在所述第一功能面上形成第一介质层和位于所述第一介质层上的第一阻挡层,所述第一介质层和所述第一阻挡层内具有第一导电层,所述第一阻挡层暴露出所述第一导电层表面;在所述第二功能面上形成第二介质层和位于...
版图及版图设计方法技术
一种版图及版图设计方法
半导体结构的形成方法技术
一种半导体结构的形成方法,方法包括:提供第一晶圆,包括第一衬底
半导体结构及其形成方法技术
一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一区,所述第一区衬底表面具有若干相互分立的第一初始鳍部结构,所述衬底上具有横跨所述第一初始鳍部结构的伪栅极结构;在所述衬底表面形成介质层,所述介质层覆盖伪栅极结构的侧壁表...
封装结构及封装方法技术
一种封装方法及封装结构,封装结构包括:基板,包括键合面;芯片组,键合于键合面上,包括沿纵向堆叠的多个第一芯片,与基板相邻的第一芯片作为底部芯片,剩余的第一芯片作为顶部芯片,底部芯片与基板之间以及相邻第一芯片之间电连接,顶部芯片暴露部分底...
半导体结构及其形成方法技术
一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一区,所述第一区衬底表面具有若干相互分立的第一初始鳍部结构,所述衬底上具有横跨所述第一初始鳍部结构的伪栅极结构;在所述衬底表面形成介质层,所述介质层覆盖伪栅极结构的侧壁表...
封装方法技术
一种封装方法,方法包括:提供第一晶圆,第一晶圆包括第一衬底
封装结构以及封装方法技术
一种封装结构以及封装方法,封装结构包括:基板;互连结构,键合于所述基板上,所述互连结构与所述基板电连接;芯片组,所述芯片组包括沿纵向堆叠的多个第一芯片;与所述互连结构相邻的第一芯片作为底部芯片,剩余的所述第一芯片作为顶部芯片,所述底部芯...
半导体结构及其形成方法技术
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供第一晶圆,第一晶圆包括位于第一衬底上的第一介电层,第一介电层中形成有第一互连结构以及位于第一互连结构顶部的第一金属键合层,第一互连结构包括最远离第一衬底的第一顶层互连布线层;提供第二晶圆,第二晶...
一种刀具及晶圆解键合设备制造技术
本申请提供一种刀具及晶圆解键合设备,所述刀具包括:刀背部分和刀刃部分,所述刀刃部分包括与刀背部分相连的连接边以及用于切割的刀尖边;第一管路,位于所述刀刃部分中靠近所述连接边的位置且沿平行于所述刀刃部分的方向贯穿所述刀刃部分,所述第一管路...
半导体结构及其形成方法与工作方法技术
一种半导体结构及其形成方法与工作方法,其中半导体结构包括:衬底,所述衬底包括第一区,所述第一区包括沿第一方向排布的多个第一有源区以及位于相邻所述第一有源区之间的第一隔离区;位于所述衬底上的若干第一鳍部,若干所述第一鳍部与第一方向平行且沿...
版图设计及获得刻蚀偏差的方法、光学邻近修正方法技术
一种版图设计方法及获得刻蚀偏差的方法、及光学邻近修正方法,版图设计方法包括:进行有源区划分处理,形成单元区,单元区包括沿第一方向和第二方向呈矩阵排布的多个有源区、以及用于使多个有源区之间相互分离的鳍部切割区,有源区具有可调的版图设计尺寸...
半导体器件及其形成方法技术
本发明提供半导体器件及其形成方法,包括:提供衬底,在所述衬底上依次交替形成至少一层牺牲层和至少一层衬层;刻蚀所述衬层、所述牺牲层以及部分厚度的所述衬底,在所述衬底上形成有若干鳍部;在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构;去除所述伪栅结构...
承载装置、晶圆测试设备以及晶圆测试方法制造方法及图纸
一种承载装置、晶圆测试设备以及晶圆测试方法,承载装置包括:主加热平台,用于承载待测晶圆并对所述待测晶圆进行加热;环形的副加热平台,环绕所述主加热平台,用于与所述主加热平台顶面围成放置所述待测晶圆的容纳空间。降低了所述探针因受热不均匀而产...
光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质技术方案
一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质,修正方法包括:获取设计版图,包括多个设计图形,设计版图被划分为多个子区域;分别对各个子区域中的设计图形进行光学邻近修正处理,对相邻两个子区域中的设计图形进行光学邻近修正处理包括:在相邻...
静电保护结构及其形成方法、嵌入式d-TOF芯片、SiPM芯片技术
本申请提供一种静电保护结构及其形成方法、嵌入式d
半导体器件及其形成方法技术
一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供基底,所述基底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部;在所述基底上形成横跨第一鳍部的第一栅极结构,所述第一栅极结构覆盖部分第一鳍部侧壁的顶部表面;在所述基底上形成横跨第二鳍部的第二栅极结构,所述第二栅极...
光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质技术方案
一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质,修正方法包括:提供原始版图层,原始版图层包括平行排布的设计图形,沿设计图形的排布方向,相邻设计图形相对的边作为禁止边,相邻设计图形相背离的边作为非禁止边,且相邻设计图形之间的间隔具有最...
图像传感器及其形成方法技术
本申请提供一种图像传感器及其形成方法,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括接地区和光路区,所述接地区和所述光路区的衬底上包括第一介质层;在所述第一介质层上依次形成超表面材料层和硬掩模层;在所述光路区的所述硬掩模层中形成超表面结构图案...
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