光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质技术方案

一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，修正方法包括：提供原始版图层，原始版图层包括平行排布的设计图形，沿设计图形的排布方向，相邻设计图形相对的边作为禁止边，相邻设计图形相背离的边作为非禁止边，且相邻设计图形之间的间隔具有最小设计规则值；在相邻设计图形相背离的非禁止边一侧添加与非禁止边相邻接的第一补偿图形；添加第一补偿图形之后，在设计图形的禁止边一侧添加与禁止边相邻接的第二补偿图形，相邻接的设计图形、第一补偿图形和第二补偿图形构成修正后图形，且沿设计图形的排布方向，相邻修正后图形之间的间隔大于最小设计规则值。降低了相邻修正后图形之间的间隔小于最小设计规则值的概率。图形之间的间隔小于最小设计规则值的概率。图形之间的间隔小于最小设计规则值的概率。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。
[0003]然而随着器件的尺寸日益缩小，在经过光刻制程之后，芯片表面的图案与原始光罩图案之间的差异也随之增大。为了避免光学邻近效应造成芯片上的图案与掩膜版图案不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图案进行光学邻近修正(optical proximity correction，OPC)处理，然后再依据修正过的掩膜版图案进行图案转移。
[0004]但是，目前光学邻近修正仍会存在一些缺陷，还需有待提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，提高光学邻近修正的效果。
[0006]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供原始版图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供原始版图层，所述原始版图层包括平行排布的设计图形，沿所述设计图形的排布方向，相邻所述设计图形相对的边作为禁止边，相邻所述设计图形相背离的边作为非禁止边，且相邻所述设计图形之间的间隔具有最小设计规则值；在相邻所述设计图形相背离的非禁止边一侧添加与所述非禁止边相邻接的第一补偿图形；添加所述第一补偿图形之后，在所述设计图形的禁止边一侧添加与所述禁止边相邻接的第二补偿图形，相邻接的所述设计图形、第一补偿图形和第二补偿图形构成修正后图形，且沿所述设计图形的排布方向，相邻所述修正后图形之间的间隔大于所述最小设计规则值。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述设计图形的非禁止边一侧具有预先设计的第一补偿值；在所述设计图形的非禁止边一侧添加第一补偿图形的步骤包括：按照所述第一补偿值，在所述设计图形的非禁止边一侧添加与所述非禁止边相邻接的第一补偿图形。3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述设计图形的禁止边一侧添加与所述禁止边相邻接的第二补偿图形的步骤包括：获取相邻所述设计图形之间的实际间隔与所述最小设计规则值的差值，作为第一补偿余量；利用相邻所述设计图形所对应的第一补偿图形的宽度、以及所述第一补偿余量，获取相邻所述设计图形各自对应的第二补偿余量；根据相对应的所述第二补偿余量，在所述设计图形的禁止边一侧添加与所述禁止边相邻接的第二补偿图形。4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述设计图形的非禁止边一侧添加与所述非禁止边相邻接的第一补偿图形的步骤中，相邻接的所述设计图形和第一补偿图形构成初始修正后图形；在所述设计图形的禁止边一侧添加与所述禁止边相邻接的第二补偿图形的步骤还包括：在获取相邻所述设计图形分配相对应的第二补偿余量之前，获取所述初始修正后图形的宽度；利用相邻所述设计图形所对应的第一补偿图形的宽度、以及所述第一补偿余量，获取相邻所述设计图形各自对应的第二补偿余量的步骤包括：利用所述第一补偿余量对相邻所述设计图形分配所述第二补偿余量，且所述第二补偿余量的占比根据相对应的所述初始修正后图形的宽度确定。5.如权利要求3或4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述设计图形的禁止边一侧具有预先设计的第二补偿值；根据相对应的所述第二补偿余量，在所述设计图形的禁止边一侧添加与所述禁止边相邻接的第二补偿图形的步骤包...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文东，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：