用于制造光掩模布图的方法和制造半导体器件的方法技术

提供了一种用于制造光掩模布图的方法和一种用于制造半导体器件的方法。用于制造光掩模布图的方法包括：接收包括主图案的第一布图；考虑所述主图案的光学性质，通过在所述第一布图中生成辅助特征来生成第二布图；通过对第二布图执行光学邻近校正(OPC)来生成第三布图；以及当在通过使用光掩模作为蚀刻掩模蚀刻的半导体膜的ACI图像上未生成所述辅助特征时，将所述第三布图输出为经校正的布图，所述光掩模是使用所述第三布图生成的。光掩模是使用所述第三布图生成的。光掩模是使用所述第三布图生成的。

【技术实现步骤摘要】
用于制造光掩模布图的方法和制造半导体器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年1月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0013345的优先权，其内容通过引用整体合并于此。


[0003]本公开涉及一种用于制造光掩模布图的方法和一种用于使用该光掩模布图制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]随着近年来电子工业的快速发展，对具有更高性能、更高可靠性和更小尺寸的电子器件的需求不断增加。利用通过半导体制造工艺制造的半导体元件来实现电子器件。因此，为了满足这种需求，半导体器件的结构逐渐变得更加复杂和高度集成。
[0005]这些半导体元件可以通过光刻工艺获得。在该工艺中，在半导体晶片上印刷各种图案的布图。然而，随着半导体工艺的集成度的增加，掩模的图像图案之间的间隙变得更小。这种接近可能导致光的干涉和衍射，并且导致与要印刷在晶片上的计划布图不同的畸变布图。
[0006]为了防止布图的畸变，使用诸如光学邻近校正(OPC)的分辨率增强技术。然而，在对具有相同形状和相同外围条件的图案执行光学邻近校正的情况下，通过高效地减少周转时间(TAT)来执行光学邻近校正可能是重要的。

技术实现思路

[0007]通过本公开的一些实施例将实现的技术方面提供了一种用于制造光掩模布图的方法，其改进了光学邻近校正的难度并且改进了制造光掩模的工艺的难度。
[0008]通过本公开的一些实施例实现的技术方面还提供了一种用于使用该光掩模布图制造半导体器件的方法，其改进了光学邻近校正的难度并且改进了制造光掩模的工艺的难度。
[0009]本公开的技术方面不限于本文阐述的那些，并且通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开所属领域的普通技术人员将清楚地理解其他未提及的技术方面。
[0010]根据本公开的一方面，一种用于制造光掩模布图的方法包括：接收所述光掩模布图的第一布图，所述第一布图包括主图案；考虑所述主图案的光学性质，通过在所述第一布图中生成辅助特征来生成第二布图；通过对所述第二布图执行光学邻近校正(OPC)来生成第三布图；以及当在使用光掩模作为蚀刻掩模蚀刻的半导体膜的清洁后检查(ACI)图像上未生成所述辅助特征时，输出所述第三布图作为经校正的布图，所述光掩模是使用所述第三布图生成的。
[0011]根据本公开的一方面，一种用于制造光掩模布图的方法包括：接收包括单元块中心区域和单元块边缘区域的第一布图；确定所述第一布图的所述单元块边缘区域中的辅助
特征的尺寸和位置；通过在所确定的位置中生成具有所确定的尺寸的子图案来生成第二布图；以及通过对所述第二布图执行光学邻近校正(OPC)来生成第三布图。
[0012]根据本公开的一方面，一种用于制造光掩模布图的方法包括：接收包括主图案的第一布图；考虑所述主图案的光学性质，通过在所述主图案周围生成辅助特征来生成第二布图；通过对所述第二布图执行光学邻近校正(OPC)来生成第三布图；经由模拟生成使用所述第三布图生成的光掩模的显影后检查(ADI)图像和使用所述光掩模作为蚀刻掩模蚀刻的半导体膜的清洁后检查(ACI)图像；通过调整所述第三布图的所述辅助特征的尺寸或形状中的至少一者来生成经校正的布图；使用所述经校正的布图生成所述光掩模；以及使用所述光掩模形成所述半导体器件。
附图说明
[0013]通过参考附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的以上以及其他方面和特征将变得更加明显，在附图中：
[0014]图1是说明根据本公开的一些实施例的用于执行半导体设计的计算机系统的框图；
[0015]图2是说明根据本公开的一些实施例的用于设计和制造半导体元件的方法的流程图；
[0016]图3是简要说明用于制造掩模的光刻系统的视图；
[0017]图4是说明基于经校正的布图制造的光掩模的视图；
[0018]图5是说明使用图4中的光掩模在衬底上印刷电路图案的视图；
[0019]图6是说明根据本公开的一些实施例的用于生成光掩模布图的方法的流程图；
[0020]图7是说明OPC工具的框图；
[0021]图8是说明第一布图的视图；
[0022]图9是说明第二布图的视图；
[0023]图10是示出由3D模拟工具生成的3D模拟结果的截面图；
[0024]图11是示出由3D模拟工具生成的3D模拟结果的截面图；
[0025]图12是说明根据本公开的一些实施例的用于执行半导体设计的计算机系统的框图。
具体实施方式
[0026]在下文中，将参考附图描述本公开的实施例。然而，示例实施例可以以各种不同的形式体现，并且不应被解释为仅限于所示的实施例。相反，所示的实施例是作为示例提供的，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的构思。因此，可以不关于一些示例实施例描述已知的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的元件，因此将不再重复描述。
[0027]除非另有说明，否则以下描述中的功能元件和附图中所示的对应框可以在被配置为执行特定功能的处理电路(诸如硬件、软件或其组合)中实现。例如，处理电路更具体地可以包括但不限于中央处理单元(CPU)、算术逻辑单元(ALU)、数字信号处理器、微计算机、现场可编程门阵列(FPGA)、可编程逻辑单元、微处理器、专用集成电路(ASIC)等(和/或被包括
在其中)。
[0028]尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的范围的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0029]图1是说明根据本公开的一些实施例的用于执行半导体设计的计算机系统的框图。
[0030]参考图1，根据一些实施例的用于执行半导体设计的计算机系统可以包括处理器10、工作存储器30、输入/输出装置50和辅助存储装置70。在本文中，根据一些实施例，计算机系统可以被提供为用于布图设计的专用装置。此外，用于执行半导体设计的计算机系统可以包括各种设计和验证模拟程序。
[0031]处理器10可以执行要在用于执行半导体设计的计算机系统中执行的软件(应用程序、操作系统(OS)、装置驱动器等)。处理器10可以执行加载到工作存储器30中的操作系统(OS)。处理器10可以基于操作系统(OS)执行要驱动的各种应用程序。例如，处理器10可以执行加载到工作存储器30中的布图设计工具32。
[0032]操作系统(OS)和/或应用程序可以被加载到工作存储器30中。当启动计算机系统时，可以基于启动序列将存储在辅助存储装置70中的OS映像加载到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造光掩模布图的方法，所述方法包括：接收所述光掩模布图的第一布图，所述第一布图包括主图案；考虑所述主图案的光学性质，通过在所述第一布图中生成辅助特征来生成第二布图；通过对所述第二布图执行光学邻近校正来生成第三布图；以及当在使用光掩模作为蚀刻掩模蚀刻的半导体膜的清洁后检查图像上未生成所述辅助特征时，输出所述第三布图作为经校正的布图，所述光掩模是使用所述第三布图生成的。2.根据权利要求1所述的用于制造光掩模布图的方法，其中，在使用所述第三布图生成的所述光掩模的显影后检查图像上生成了所述辅助特征。3.根据权利要求1所述的用于制造光掩模布图的方法，所述方法还包括：当在所述清洁后检查图像上生成了所述辅助特征时，通过减小所述辅助特征的尺寸来调整所述第二布图。4.根据权利要求1所述的用于制造光掩模布图的方法，所述方法还包括：当在所述清洁后检查图像上生成了所述辅助特征时，通过改变所述辅助特征的形状来调整所述第二布图。5.根据权利要求1所述的用于制造光掩模布图的方法，其中，所述光学性质包括归一化图像对数斜率或掩模误差增强因子中的至少一者。6.根据权利要求1所述的用于制造光掩模布图的方法，其中，所述第一布图包括单元块边缘区域和单元块中心区域，所述单元块中心区域包括所述主图案，并且在所述单元块边缘区域中生成所述辅助特征。7.根据权利要求1所述的用于制造光掩模布图的方法，其中，通过生成所述辅助特征来生成所述第二布图是由机器学习模型执行的。8.根据权利要求1所述的用于制造光掩模布图的方法，其中，通过进一步考虑所述光掩模的厚度或所述光掩模的深宽比中的至少一者来生成所述经校正的布图。9.一种用于制造光掩模布图的方法，所述方法包括：接收包括单元块中心区域和单元块边缘区域的第一布图；确定所述单元块边缘区域中的辅助特征的尺寸和位置；通过在所确定的位置生成具有所确定的尺寸的子图案来生成第二布图；以及通过对所述第二布图执行光学邻近校正来生成第三布图。10.根据权利要求9所述的用于制造光掩模布图的方法，其中，所述第一布图包括所述单元块中心区域中的主图案；并且确定所述辅助特征的所述位置包括考虑所述主图案的光学性质来确定所述辅助特征的所述位置。11.根据权利要求10所述的用于制造光掩模布图的方法，其中，所述光学性质包括归一化图像对数斜率或掩模误差增强因子中的至少一者。12.根据权利要求9所述的用于制造光掩模布图的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：文晟墉，李元灿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：