OPC建模的方法技术

提供OPC建模的方法。在OPC建模的方法中，抗蚀剂图像(RI)模型从图案的空间图像(AI)被生成。在RI模型的图像轮廓中，具有比截断水平低的水平的部分的光强度用截断水平替换。图像轮廓被平滑以去除图像轮廓中的尖锐点。拉普拉斯内核被应用于图像轮廓以生成外形图像轮廓。外形图像轮廓的具有比给定水平低的值的部分被截断。曲率半径内核被应用于外形图像轮廓。曲率半径的倒数被应用于RI模型。曲率半径的倒数被应用于RI模型。曲率半径的倒数被应用于RI模型。

【技术实现步骤摘要】
OPC建模的方法
[0001]本申请要求于2022年1月20日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10
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2022
‑
0008352号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。


[0002]示例实施例涉及光学邻近校正(OPC)建模的方法。

技术介绍

[0003]随着晶片上的图案的大小减小，光学邻近效应在曝光工艺期间增强，并且因此用于校正在光掩模中绘制的图案的布局的光学邻近校正(OPC)是有益的。OPC包括OPC建模、校正和验证，并且OPC建模包括光学建模和抗蚀剂校准。如果图案具有一维形状，则抗蚀剂校准可被精确地执行，然而，如果图案具有二维形状，则精度必须被提高。

技术实现思路

[0004]示例实施例提供OPC建模的方法。
[0005]示例实施例提供使用OPC建模的方法形成图案的方法。
[0006]根据示例实施例，提供一种OPC建模的方法。在所述方法中，抗蚀剂图像(RI)模型可从图案的空间图像(aerial image，AI)被生成。RI模型的图像轮廓的具有比截断水平低的水平的部分的光强度可用截断水平替换。图像轮廓可被平滑使得图像轮廓中的尖锐点被去除。拉普拉斯内核可被应用于平滑后的图像轮廓以生成外形图像轮廓。外形图像轮廓的具有比设置水平低的值的部分可被截断。曲率半径内核可被应用于外形图像轮廓。曲率半径的倒数可被应用于RI模型。
[0007]根据示例实施例，提供一种形成图案的方法。在所述方法中，抗蚀剂图像(RI)模型从图案的空间图像(AI)被生成，所述图案至少包括各自在第一方向上延伸的第一线和第二线以及在第二方向上延伸的第三线的，使得第三线连接第一线和第二线。RI模型的图像轮廓的具有比截断水平低的水平的部分的光强度可用截断水平替换。图像轮廓可被平滑，使得图像轮廓中的尖锐点被去除。拉普拉斯内核可被应用于更平滑的图像轮廓以生成外形图像轮廓。外形图像轮廓的具有比设置水平低的值的部分可被截断。曲率半径内核可被应用于外形图像轮廓。曲率半径的倒数可被应用于RI模型。
[0008]根据示例实施例，提供一种形成图案的方法。在所述方法中，抗蚀剂图像(RI)模型从图案的空间图像(AI)被生成。RI模型的图像轮廓的具有比截断水平低的水平的部分的光强度可用截断水平替换。拉普拉斯内核可被应用于图像轮廓以生成外形图像轮廓。外形图像轮廓的具有比设置水平低的值的部分可被截断。曲率半径内核可被应用于外形图像轮廓。曲率半径的倒数可被应用于RI模型。
[0009]根据示例实施例的OPC建模方法可对具有2D形状特性的图案具有高精度和稳定性。如果图案包括具有1D形状特征的部分和2D形状特征的部分两者，则即使附加的决定和/或处理被做出，这些部分也可被自动地区分以被处理。
附图说明
[0010]专利或申请文件包含以彩色执行的至少一个附图。有一个或多个彩色附图的本专利或专利申请公开的副本将在请求和必要费用的支付后由专利局提供。现在将参照附图通过示例的方式描述这些和其他方面，其中：
[0011]图1是示出根据示例实施例的OPC建模的流程图。
[0012]图2是在OPC建模中使用的RI。
[0013]图3至图6是由根据包括在RI中的图像轮廓的位置的光强度表示的曲线图，这些位置是由图2中的CD尺度表示的区域的图像轮廓。
[0014]图7是在RI的每个位置处示出k值的图像。
[0015]图8示出具有各种形状的各种RI处的k值。
具体实施方式
[0016]通过下面的结合附图的详细描述，将更清楚地理解示例实施例。将理解，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另外的区域、层或部分进行区分。因此，在不脱离专利技术构思的教导的情况下，在下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或者第一部分可被称为第二或第三元件、第二或第三组件、第二或第三区域、第二或第三层或者第二或第三部分。
[0017]当在本说明书中结合数值使用术语“约”或“基本”时，意在相关联的数值包括以阐述的数值为中心的制造公差(例如，
±
10％)。此外，无论数值是否被修改为“约”或“基本”，将理解，这些值应被解释为包括以阐述的数值为中心的制造或操作公差(例如，
±
10％)。
[0018]晶片上的图案可通过以下步骤而被形成：在晶片上形成蚀刻对象层，在蚀刻对象层上形成光致抗蚀剂层，图案化光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案，以及使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻蚀刻对象层。蚀刻掩模层可还形成在蚀刻对象层与光致抗蚀剂层之间，并且在这种情况下，蚀刻掩模层可使用光致抗蚀剂图案而被蚀刻以形成蚀刻掩模，并且蚀刻对象层可使用蚀刻掩模而被蚀刻。
[0019]通过图案化光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案可通过以下步骤而被执行：放置光掩模(photomask)(例如，光致抗蚀剂层上方的包括图案的掩模版(reticle))，执行从光源发出光以穿透光掩模的曝光工艺，以及执行去除光致抗蚀剂层的由光曝光或未由光曝光的部分的显影(developing)工艺，使得光掩模的图案的布局可被转移到光致抗蚀剂层。
[0020]在光致抗蚀剂图案的形成中，使用氟化氪(KrF)或氟化氩(ArF)作为光源的深紫外(DUV)设备已经被主要使用，不过最近，极紫外(EUV)设备也已经被使用。通过使用EUV设备，具有微小间距或弯曲形状的图案可被容易地形成。
[0021]随着可形成在晶片上的图案的大小减小，光学邻近效应(OPE)可由于在曝光工艺期间相邻图案的影响而发生，并且例如，图案中的特征的邻近可导致光的干涉和衍射，并且引起与计划的布局不同的变形布局被印制在晶片上。可校正光掩模(诸如，掩模版)的图案的布局的光学邻近校正(OPC)可被执行，以便解决OPE。
[0022]OPC可包括OPC建模、校正和验证，并且OPC建模可包括光学建模和抗蚀剂校准。
[0023]例如，在使用包括最初形成的目标图案的光掩模的曝光工艺被执行时，空间图像
(aerial image，AI)可在光致抗蚀剂层上被生成，并且由于从光源发出的光与光掩模之间的光学相互作用，来自AI的图案的布局可与目标图案的布局不匹配。因此，考虑到光学相互作用，AI模型从目标图案的布局被预测和生成的操作可被称为光学建模。
[0024]在曝光工艺之后，在显影工艺对光致抗蚀剂层被执行以形成光致抗蚀剂图案时，抗蚀剂图像(RI)可根据光致抗蚀剂图案的布局而被生成。然而，由于附加工艺(诸如，曝光后烘焙(PEB)工艺)，和/或显影溶液与光致抗蚀剂层之间的物理或化学相互作用，AI可与RI不匹配。因此，考虑到上述不匹配，用于从AI预测和生成RI模型的工艺是有益的，并且可被称为抗蚀剂校准。
[0025]抗蚀剂校准可包括严格建模方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近校正方法，包括：从图案的空间图像生成抗蚀剂图像模型；用截断水平替换抗蚀剂图像模型的图像轮廓的一部分的光强度以生成替换后的图像轮廓，所述一部分具有比截断水平低的水平；平滑替换后的图像轮廓以生成平滑后的图像轮廓，使得替换后的图像轮廓中的尖锐点被去除；将拉普拉斯内核应用于平滑后的图像轮廓以生成外形图像轮廓；截断外形图像轮廓的具有比设置水平低的值的部分以生成截断后的外形图像轮廓；将曲率半径内核应用于截断后的外形图像轮廓；以及将曲率半径的倒数应用于抗蚀剂图像模型。2.根据权利要求1所述的方法，其中，替换具有比截断水平低的水平的所述一部分的光强度的步骤包括使用由下式表示的截断内核：f(x)＝max(x，截断水平)其中，x是光强度，max()是最大值函数，并且f(x)是应用截断内核之后的结果。3.根据权利要求2所述的方法，其中，平滑替换后的图像轮廓的步骤包括使用由下式表示的修正内核：其中，x
′
是应用截断内核之后的结果，k是常数，并且f(x
′
)是应用修正内核之后的结果。4.根据权利要求3所述的方法，其中，拉普拉斯内核由下式表示：其中，f是应用修正内核之后的结果，x
i
是一个点并且Δf是应用拉普拉斯内核的结果。5.根据权利要求4所述的方法，其中，设置水平是零，使得截断外形图像轮廓的所述部分的步骤包括在应用拉普拉斯内核之后截断具有负值的一部分。6.根据权利要求1所述的方法，其中，曲率半径内核由下式表示：其中其中，x和y是平面坐标，R是曲率半径，F
x
是f(x，y)相对于x的一阶偏导数，F
y
是f(x，y)相对于y的一阶偏导数，F
xx
是f(x，y)相对于x和x的二阶偏导数，F
xy
是f(x，y)相对于x和y的二阶偏导数，F
yy
是f(x，y)相对于y和y的二阶偏导数并且f(x，y)是在每个位置处应用拉普拉斯内核之后的结果。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括在一方向上延伸的线的形状，并且其中，曲率半径的倒数在所述线的侧壁处是零，并且在所述线的线端处大于零。8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的方法，其中，所述图案包括各自在第一方向上延伸的第一线和第二线，以及在第二方向上延伸的第三线，使得第三线连接到第一线和
第二线，并且其中，所述倒数在第一线和第二线中的每条的侧壁处是零，并且在第三线的与第一线和第二线中的至少一条接触的部分处大于零。9.一种光学邻近校正方法，包括：从图案的空间图像生成抗蚀剂图像模型，所述图案至少包括各自在第一方向上延伸的第一线和第二线以及在第二方向上延伸的第三线，使得第三线连接到第一线和第二线；用截断水平替换抗蚀剂图像模型的图像轮廓的一部分的光强度以生成替换后的图像轮廓，所述一部分具有比截断水平低的水平；平滑替换后的图像轮廓以生成平滑后的图像轮廓，使得替换后的图像轮廓中的尖锐点被去除；将拉普拉斯内核应用于平滑后的图像轮廓以生成外形图像轮廓；截断外形图像轮廓的具有比设置水平低的值的部分以生成截断后的外形图像轮廓；将曲率半径内核应用于截断后的外形图像轮...

【专利技术属性】
技术研发人员：鞠东勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：