版图修正方法、存储介质及终端技术

一种版图修正方法、存储介质及终端，其中版图修正方法包括：获取修正版图；对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理，获取所述修正版图中的错误点；基于所述错误点获取第一局部区域，所述第一局部区域内具有若干待修正图形；对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理。基于所述错误点获取第一局部区域，所述第一局部区域内具有若干待修正图形，通过仅对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理，避免了全芯片区域的修正，进而有效提高了修正效率，而且避免了在原本修正准确的区域重新出现修正误差，提高了修正准确率。提高了修正准确率。提高了修正准确率。

【技术实现步骤摘要】
版图修正方法、存储介质及终端


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种版图修正方法、存储介质及终端。

技术介绍

[0002]光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
[0003]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
[0004]为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Optical Proximity Correction)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
[0005]然而，现有技术中版图修正过程仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种版图修正方法、存储介质及终端，以提高修正效率及修正准确率。
[0007]为解决上述问题，本专利技术的技术方案提供一种版图修正方法，包括：获取修正版图；对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理，获取所述修正版图中的错误点；基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域，所述第一局部区域内具有若干待修正图形；对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理。
[0008]可选的，获取修正版图的方法包括：提供初始版图；对所述初始版图进行第一光学邻近修正，获取所述修正版图。
[0009]可选的，对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理的方法包括：提供光学邻近修正验证数据库；在所述光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域；当在所述光学邻近修正验证数据库搜索到所述历史修正区域时，将所述历史修正区域内若干图形的修正数据运用至所述第一局部区域内进行若干所述待修正图形的修正处理。
[0010]可选的，当在所述光学邻近修正验证数据库未搜索到所述历史修正区域时，对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理。
[0011]可选的，在对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理之后，还包括：将对所述第一局部区域内的所述待修正图形的第二光学邻近修正数据更新至所述光学邻近修正验证数据库中。
[0012]可选的，基于所述错误点获取第一局部区域的方法包括：以所述错误点为中心坐标点构建框选区域以获取所述第一局部区域。
[0013]可选的，所述第一局部区域包括：边长范围为1.5微米～2.5微米的正方形。
[0014]可选的，所述修正版图具有相对应的初始版图和目标版图，基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域的同时，还包括：在所述初始版图和所述目标版图中同时获取相对应的第二局部区域，所述初始版图中的所述第二局部区域和所述目标版图中的所述第二局部区域内具有若干与所述待修正图形相对应的参考图形。
[0015]可选的，在光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域的方法包括：制定所述初始版图和所述目标版图的索引信息；根据所述索引信息在所述光学邻近修正验证数据库中获取第一搜索范围数据；制定所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息；根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对，搜索所述历史修正区域。
[0016]可选的，所述索引信息包括：制造厂、产品、工艺层次。
[0017]可选的，所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息包括：各个所述参考图形的自身特征信息、以及相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息。
[0018]可选的，相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息是以相邻两个所述参考图形之间相邻两条边的各个顶点信息表示。
[0019]可选的，以相邻两个所述参考图形之间相邻两条边的各个顶点信息表示相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息的方法包括：基于相邻两个所述参考图形之间相邻两条边构建虚拟四边形；获取所述虚拟四边形的自身特征信息，以所述虚拟四边形的自身特征信息作为相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息。
[0020]可选的，所述自身特征信息包括：图形的顶点信息、以及图形的各条边的信息。
[0021]可选的，图形的各条边的信息是以各条边相对的两个所述顶点信息表示。
[0022]可选的，根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对，搜索所述历史修正区域的方法包括：将所述第二局部区域划分为第一区域以及若干第二区域，所述第一区域是以所述错误点为中心坐标点构建的正方形，以所述第一区域为基准，若干所述第二区域依次包围，且位于最内侧的所述第二区域包围所述第一区域；所述第一区域内的若干所述参考图形的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息相同；若干所述第二区域内的若干所述参考图形的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息误差率不超过预设误差率，且所述误差率与所述第二区域距所述错误点之间的距离呈正相关。
[0023]可选的，所述第一区域与所述第二局部区域的面积之比为：65％～75％。
[0024]可选的，所述预设误差率的范围为5％。
[0025]相应的，本专利技术技术方案中还提供一种存储介质，其上存储有计算机指令，其特征
在于，所述计算机指令运行时执行上述任一项所述方法的步骤。
[0026]相应的，本专利技术技术方案中还提供一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令，其特征在于，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一项所述方法的步骤。
[0027]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
[0028]本专利技术技术方案的版图修正方法中，基于所述错误点获取第一局部区域，所述第一局部区域内具有若干待修正图形，通过仅对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理，避免了全芯片区域的修正，进而有效提高了修正效率，而且避免了在原本修正准确的区域重新出现修正误差，提高了修正准确率。
[0029]进一步，对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图修正方法，其特征在于，包括：获取修正版图；对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理，获取所述修正版图中的错误点；基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域，所述第一局部区域内具有若干待修正图形；对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理。2.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，获取修正版图的方法包括：提供初始版图；对所述初始版图进行第一光学邻近修正，获取所述修正版图。3.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理的方法包括：提供光学邻近修正验证数据库；在所述光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域；当在所述光学邻近修正验证数据库搜索到所述历史修正区域时，将所述历史修正区域内图形的修正数据运用至所述第一局部区域内进行若干所述待修正图形的修正处理。4.如权利要求3所述的版图修正方法，其特征在于，当在所述光学邻近修正验证数据库未搜索到所述历史修正区域时，对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理。5.如权利要求4所述的版图修正方法，其特征在于，在对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理之后，还包括：将对所述第一局部区域内的所述待修正图形的第二光学邻近修正数据更新至所述光学邻近修正验证数据库中。6.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，基于所述错误点获取第一局部区域的方法包括：以所述错误点为中心坐标点构建框选区域以获取所述第一局部区域。7.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述第一局部区域包括：边长范围为1.5微米～2.5微米的正方形。8.如权利要求3所述的版图修正方法，其特征在于，所述修正版图具有相对应的初始版图和目标版图，基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域的同时，还包括：在所述初始版图和所述目标版图中同时获取相对应的第二局部区域，所述初始版图中的所述第二局部区域和所述目标版图中的所述第二局部区域内具有若干与所述待修正图形相对应的参考图形。9.如权利要求8所述的版图修正方法，其特征在于，在光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域的方法包括：制定所述初始版图和所述目标版图的索引信息；根据所述索引信息在所述光学邻近修正验证数据库中获取第一搜索范围数据；制定所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息；根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对，搜索所述历史修...

【专利技术属性】
技术研发人员：王聪玉，金晓亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：