【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种p型高阻外延的电阻率测试（四探针法），解决p型高阻外延电阻测试误差的方法。
技术介绍
1、四探针法是一种常用的测试电导率的方法，也被称为四探针电阻法。它通过使用四个电极进行测量，可以准确地测量材料的电阻值，并进一步计算出电导率。
2、四探针法的原理:
3、四探针法的原理基于电导率与电阻之间的关系。电导率是材料导电性能的量度，其定义为单位长度内的电流通过材料单位横截面积所产生的电压降。而电阻则是电导率的倒数，即电阻等于电导率的倒数。
4、四探针法通过使用四个电极进行测量，其中两个电极用于注入电流，另外两个电极用于测量电压。这四个电极相互之间的距离相等，并且两个测量电压的电极距离较小，以确保测量的准确性。在测量过程中，通过注入电流，电流将在材料中流动，而电压则在测量电极之间产生。根据欧姆定律，电流与电压之间的关系为u=ir，其中u是电压，i是电流，r是电阻。根据四探针法的原理，测量电极之间的电压，我们可以计算出材料的电阻值。
5、四探针法可以准确测量材...
【技术保护点】
1.一种解决P型高阻外延电阻测试误差的方法，其特征在于：在对包含有P型高阻外延层的测试晶圆进行P型高阻外延层的电阻率测试前，先对测试晶圆进行处理以破坏所述测试晶圆上的P型高阻外延中的B-H键。
2.如权利要求1所述的解决P型高阻外延电阻测试误差的方法，其特征在于：所述的打破测试晶圆上的P型高阻外延中的B-H键，采用的方式包含加热、特定波长光照、化学反应中的任意一种或者几种的组合叠加。
3.如权利要求1所述的解决P型高阻外延电阻测试误差的方法，其特征在于：通过快速退火工艺打破测试晶圆上的P型高阻外延中的B-H键，所述的快速退火工艺采用如下的步骤：
4.如...
【技术特征摘要】
1.一种解决p型高阻外延电阻测试误差的方法，其特征在于：在对包含有p型高阻外延层的测试晶圆进行p型高阻外延层的电阻率测试前，先对测试晶圆进行处理以破坏所述测试晶圆上的p型高阻外延中的b-h键。
2.如权利要求1所述的解决p型高阻外延电阻测试误差的方法，其特征在于：所述的打破测试晶圆上的p型高阻外延中的b-h键，采用的方式包含加热、特定波长光照、化学反应中的任意一种或者几种的组合叠加。
3.如权利要求1所述的解决p型高阻外延电阻测试误差的方法，其特征在于：通过快速退火工艺打破测试晶圆上的p型高阻外延中的b-h键，所述的快速退火工艺采用如下的步骤：
4.如权利要求1所述的解决p型高阻外延电阻测试误差的方法，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：张洪伟，严玮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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