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本发明公开了一种解决P型高阻外延电阻测试误差的方法，在对包含P型高阻外延的测试晶圆进行P型高阻外延的四探针电阻率测试前，先对测试晶圆进行处理以打破测试晶圆上的P型高阻外延中的B‑H键，恢复B离子的导电活性，再进行电阻率的测试，可以得到更为准...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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