一种高压超结器件的制备方法技术

本申请提供一种高压超结器件的制备方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成P外延层；步骤二，在P外延层上形成具有N柱图案的掩膜层；步骤三，通过质子辐照在P外延层中形成N柱；步骤四，去除掩膜层后，形成N外延层，覆盖P外延层和N柱；步骤五，在N外延层中形成沟槽栅；步骤六，形成接触孔，在接触孔内填充金属层；步骤七，通过表面钝化处理形成钝化层；步骤八，对衬底背面实施减薄处理后，形成背面金属层。通过质子辐照在P外延层中形成N柱，避免采用外延工艺填充具有高深宽比的沟槽时因填充缺陷对超结器件电荷平衡造成不利影响。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种高压超结器件的制备方法。

技术介绍

1、超结器件通过在器件内部引入深槽(trench)结构，可以实现横向的p柱(ppillar)/n外延层(n epi)耗尽，这样可以在很低电阻率的n epi下，实现很高耐压，并降低导通电阻。

2、多采用外延工艺填充具有高深宽比的trench，但是外延填充工艺难度大，对trench形貌有较高的要求，若存在填充缺陷，则会对超结器件电荷平衡造成不利影响。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种高压超结器件的制备方法，用于解决现有技术中采用外延工艺填充具有高深宽比的trench时因填充缺陷对超结器件电荷平衡造成不利影响的问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种高压超结器件的制备方法，包括：

3、步骤一，提供一衬底，在衬底上形成p外延层；

4、步骤二，在p外延层上形成具有n柱图案的掩膜层；

5、步骤三，通过质子辐照在p外延层中形成n柱；

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【技术保护点】

1.一种高压超结器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，质子辐照的剂量为1E11cm-2-1E16cm-2。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，质子辐照结束后，实施退火处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，退火处理的温度为150℃-400℃，持续时间10min-120min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，P外延层中的掺杂物质包括B、In、Al或Ga离子。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，N外延层中的掺杂物质包括P、As或Sb离子。...

【技术特征摘要】

1.一种高压超结器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，质子辐照的剂量为1e11cm-2-1e16cm-2。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，质子辐照结束后，实施退火处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，退火处理的温度为150℃-400℃，持续时间10min-120min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，p外延层中的掺杂物质包括b、i...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘嘉，杨继业，卢烁今，倪运春，许洁，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：