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本申请提供一种高压超结器件的制备方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成P外延层；步骤二，在P外延层上形成具有N柱图案的掩膜层；步骤三，通过质子辐照在P外延层中形成N柱；步骤四，去除掩膜层后，形成N外延层，覆盖P外延层和N柱；步骤五，在...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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