半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区，所述第一区衬底表面具有若干相互分立的第一初始鳍部结构，所述衬底上具有横跨所述第一初始鳍部结构的伪栅极结构；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖伪栅极结构的侧壁表面且暴露出所述伪栅极结构的顶部表面；去除所述伪栅极结构，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出第一初始鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；对第一开口暴露出的第一初始鳍部结构进行至少一次修剪工艺处理以形成第一鳍部结构，所述第一鳍部结构宽度小于第一初始鳍部结构的宽度。所述方法形成的半导体结构的性能较好。较好。较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的快速发展，促使集成电路中的半导体器件的尺寸不断地缩小，使整个集成电路的运作速度将因此而能有效地提升。但是当元件的尺寸再进一步缩小，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，短沟道效应(short channel effect，简称SCE)日趋严重。而鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种新兴的多栅器件，其栅极对沟道具有很好的控制能力，在小尺寸领域被广泛使用。
[0003]目前，通过形成两种关键尺寸的鳍部可以抑制漏致势垒降低效应(DIBL，Drain Induced Barrier Lowering)。
[0004]然而，现有技术形成的具有两种宽度鳍部的半导体结构的性能较差。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体结构的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区，所述第一区衬底表面具有若干相互分立的第一初始鳍部结构，所述衬底上具有横跨所述第一初始鳍部结构的伪栅极结构，且所述伪栅极结构位于所述第一初始鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖伪栅极结构的侧壁表面且暴露出所述伪栅极结构的顶部表面；去除所述伪栅极结构，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出第一初始鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；对第一开口暴露出的第一初始鳍部结构进行至少一次修剪工艺处理以形成第一鳍部结构，所述第一鳍部结构宽度小于第一初始鳍部结构的宽度；所述第一初始鳍部结构包括沿衬底表面法线方向堆叠的若干层复合初始鳍部层，所述复合初始鳍部层包括第一初始鳍部层以及位于第一初始鳍部层表面的第二初始鳍部层，所述第一初始鳍部层和第二初始鳍部层的材料不同。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部结构的厚度小于所述第一初始鳍部结构的厚度。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述修剪工艺的方法包括：在所述第一区第一开口的侧壁表面形成牺牲层，所述牺牲层覆盖第一区第一开口内的第一初始鳍部结构的部分顶部和侧壁表面；以所述牺牲层以及介质层为掩膜，刻蚀第一区第一开口内的第一初始鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面，形成所述第一鳍部结构。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀第一区第一开口内的第一初始鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面的工艺为干法刻蚀工艺；所述刻蚀工艺的参数包括：采用的气体包括HBr、O2、Cl2、CH4、以及CF4，HBr的流量为10标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，O2的流量为0标准毫升/分钟～100标准毫升/分钟，Cl2的流量为0标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，CH4的流量为0标准毫升/分钟～100标准毫升/分钟，CF4的流量为0标准毫升/分钟～100标准毫升/分钟，压强为5毫托～200毫托，源功率为100伏～1500伏，偏置功率为0伏～1000伏，时间为10秒～600秒。5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法包括：在所述第一区第一开口的侧壁和底部表面形成牺牲膜，所述牺牲膜还覆盖第一区第一开口内的第一初始鳍部结构顶部表面和侧壁表面；回刻蚀所述牺牲膜，直至暴露出第一区第一开口内的第一初始鳍部结构的顶部表面，形成所述牺牲层。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括：与所述第一区相邻的第二区，所述第二区衬底表面具有若干相互分立的第二鳍部结构，所述伪栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，纪世良，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：