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一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一区,所述第一区衬底表面具有若干相互分立的第一初始鳍部结构,所述衬底上具有横跨所述第一初始鳍部结构的伪栅极结构;在所述衬底表面形成介质层,所述介质层覆盖伪栅极结构的侧壁表面且...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一区,所述第一区衬底表面具有若干相互分立的第一初始鳍部结构,所述衬底上具有横跨所述第一初始鳍部结构的伪栅极结构;在所述衬底表面形成介质层,所述介质层覆盖伪栅极结构的侧壁表面且...