本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括接地区和光路区，所述接地区和所述光路区的衬底上包括第一介质层；在所述第一介质层上依次形成超表面材料层和硬掩模层；在所述光路区的所述硬掩模层中形成超表面结构图案...

一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供设计图形；沿设计图形的轮廓，获取具有台阶的边作为折线边，折线边由多个沿折线边的延伸方向延伸的第一线段、以及连接相邻第一线段的第二线段交替构成；对设计图形的折线...

一种半导体结构及其形成方法，以及晶圆切割方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括切割道区，在所述切割道区中，所述基底顶部形成有互连结构，且最顶层的互连结构为顶部互连结构；在所述顶部互连结构的顶部形成多个分立的缓冲互连结构，多个所述缓冲...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括目标层，基底包括用于形成目标图形层的目标区和与切割位置对应的切割区；在基底上形成掩膜侧墙；以掩膜侧墙为掩膜，图形化目标层，形成分立的初始图形层，初始图形层沿横向延伸，与横向垂直的方...

一种SRAM器件及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一鳍部材料层，衬底包括多个存储单元区，存储单元区包括相邻接且中心对称的第一子单元区和第二子单元区，第一子单元区和第二子单元区均包括沿第一方向相邻的第一区域和第二区域，第...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有第一介电层，基底包括第一区域和第二区域，第一区域的第一介电层中形成有贯穿第一介电层的导电层，第二区域的第一介电层的顶部形成有高电阻层，第一介电层、导电层和高电阻层的顶部形成有第...

一种封装方法，方法包括：提供第一晶圆；进行多次晶圆堆叠操作，晶圆堆叠操作包括：形成呈凸台状的第一待键合晶圆，包括基底部和凸出于基底部的凸起部，将凸起部面向第二待键合晶圆，并与第二待键合晶圆键合，形成堆叠晶圆；对第一待键合晶圆背面进行减薄...

半导体结构及其形成方法，其中一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括若干单元区；位于所述单元区上的至少2个电源导电层；位于所述电源导电层上的第一导电结构以及第二导电结构，所述第一导电结构与所述第二导电结构相互分立，所述第一导电结构通过第...

半导体结构及其形成方法，其中一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括若干单元区；位于所述单元区上的至少2个电源导电层；位于所述电源导电层上的第一导电结构以及第二导电结构，所述第一导电结构与所述第二导电结构相互分立，所述第一导电结构通过第...

一种光学邻近修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；获取初始版图，所述初始版图包括与若干目标图形对应的若干初始图形；对所述初始版图进行曝光处理，获取初始曝光版图；对比所述初始曝光版图与所述目标版图，获取所述初始曝光版...

一种光学邻近修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；获取初始版图，所述初始版图包括与若干目标图形对应的若干初始图形；对所述初始版图进行曝光处理，获取初始曝光版图；对比所述初始曝光版图与所述目标版图，获取所述初始曝光版...

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构的两侧的基底内形成有源漏掺杂层，相邻栅极结构之间形成有覆盖源漏掺杂层顶部且电连接源漏掺杂层的源漏互连线，基底上形成有覆盖栅极结构和源漏互连线的层间介质层；在层间...

一种电容结构及其形成方法，其中，方法包括：形成第一极板结构，所述第一极板结构包括第一区和第二区，所述第一区的表面低于第二区的表面；进行改性处理，使第一极板结构表面的材料与改性处理的反应气体反应，以形成第一介电膜；在所述第一介电膜表面形成...

一种电容结构及其形成方法，其中，方法包括：形成第一极板结构，所述第一极板结构包括第一区和第二区，所述第一区的表面低于第二区的表面；进行改性处理，使第一极板结构表面的材料与改性处理的反应气体反应，以形成第一介电膜；在所述第一介电膜表面形成...

一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供待补偿晶圆，待补偿晶圆包括中心区和边缘区，中心区具有若干第一量测点，边缘区具有若干第二量测点；获取第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取第二量测点的第二待补偿偏差；采用第一全局补偿模型对第一量测点进行第一...

一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供待补偿晶圆，待补偿晶圆包括中心区和边缘区，中心区具有若干第一量测点，边缘区具有若干第二量测点；获取第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取第二量测点的第二待补偿偏差；采用第一全局补偿模型对第一量测点进行第一...

一种掩膜版图及器件形成方法，掩膜版图包括：第一子版图包括第一主图形区、以及凸出于第一主图形区且与第一主图形区相连接的标记区，第一主图形区中具有第一芯片图形，标记区中具有第一拼接标记图形；第二子版图包括用于与第一主图形区实现拼接的第二主图...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括相邻第一器件区和第二器件区，第一器件区和第二器件区的基底上形成有叠层结构，包括一个或多个堆叠的沟道叠层，包括沟道层和位于沟道层上的牺牲层；形成凸立第一器件区和第二器件区交界处基底的...

一种OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质，建立方法包括：提供测试图形；根据测试图形获得测试光罩；对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括...

一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备，光电传感器包括：第一开口，贯穿引线区的像素基底以及互连层上方的介质层；第一焊垫层，位于第一开口的底部且与互连层相接触；钝化层，填充第一开口且位于第一表面上，且覆盖第一焊垫层以及导电层；第二开口，...