【技术实现步骤摘要】
掩膜版图和器件形成方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩膜版图和器件形成方法。
技术介绍
[0002]随着数码技术、半导体制造技术的发展，以及信息时代的到来，传感器作为光电产业里的光电元件类，其发展速度可以用日新月异来形容。目前，其已经广泛应用于各种领域，并且每种应用都有其独特的客户系统要求。例如，一些天文望远镜、全画幅数码相机、医学成像等专业成像应用领域就需要用到大尺寸的传感器。而这些大尺寸的传感器由于已经超过光刻机的像场，因此在制造过程中，需要使用到拼接技术。
[0003]拼接技术，顾名思义就是把在芯片的制造过程中，把涉及的图形分区，依次曝光，最终拼接成一个大尺寸的图形传感器。
[0004]现有芯片拼接方法虽然能有效避免相邻拼接芯片电路结构对应接合图形在其连接处可能产生变形、不连贯、线路变窄等缺陷，但对于各部分之间的对准没有精确的控制。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种掩膜版图和器件形成方法，提高拼接曝光的对准精度。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩膜版图，其特征在于，包括：目标版图，所述目标版图包括位于同层的多个子版图，所述多个子版图用于在拼接后形成完整的目标版图，且所述子版图在拼接的位置处均设有拼接标记图形，所述子版图包括用于进行拼接的第一子版图和第二子版图；所述第一子版图包括第一主图形区、以及凸出于所述第一主图形区且与所述第一主图形区相连接的标记区，且所述标记区设置于所述第一子版图中待拼接的一侧，所述第一主图形区中具有第一芯片图形，所述标记区中具有第一拼接标记图形；所述第二子版图包括用于与所述第一主图形区实现拼接的第二主图形区，所述第二主图形区中具有第二芯片图形、以及位于所述第二芯片图形侧部的第二拼接标记图形，所述第二拼接标记图形设置于所述第二子版图中待与所述第一子版图进行拼接的一侧，且所述第二芯片图形用于与所述第一芯片图形进行拼接获得目标图形；其中，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形被设置为：在将第一子版图和第二子版图进行拼接后，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间实现对准。2.如权利要求1所述的掩膜版图，其特征在于，所述第一拼接标记图形的形状包括条形、框形或者“十”字形，所述第二拼接标记图形的形状包括条形、框形或者“十”字形。3.如权利要求1所述的掩膜版图，其特征在于，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间实现对准包括：所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间相套嵌。4.如权利要求3所述的掩膜版图，其特征在于，所述第一拼接标记图形和所述第二拼接标记图形的形状相同，且尺寸不同。5.如权利要求1～4中任一项所述的掩膜版图，其特征在于，所述多个子版图用于沿第一方向或第二方向实现拼接，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一拼接标记图形包括沿所述第一方向平行设置的一对第一条形图形、以及沿所述第二方向平行设置的一对第二条形图形；所述第二拼接标记图形包括所述第一方向平行设置的一对第三条形图形、以及沿所述第二方向平行设置的一对第四条形图形；所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形被设置为：在将第一子版图和第二子版图进行拼接后，所述第一条形图形和第三条形图形之间在第一方向上实现对准，所述第二条形图形和第四条形图形之间在第二方向上实现对准。6.如权利要求5所述的掩膜版图，其特征在于，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形被设置为：在将第一子版图和第二子版图进行拼接后，相邻的所述第一条形图形和第三条形图形的距离均相等，相邻的所述第二条形图形和第四条形图形的距离均相等。7.如权利要求6所述的掩膜版图，其特征在于，相邻的所述第一条形图形和第三条形图形的距离为4um至6um；相邻的所述第二条形图形和第四条形图形的距离为4um至6um。8.如权利要求5所述的掩膜版图，其特征在于，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间实现对准包括：所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间相套嵌；所述第一条形图形和第二条形图形围成方框形的第一拼接标记图形，所述方框形呈闭合状或非闭合状；所述第三条形图形和第四条形图形围成方框形的第二拼接标记图形，所述方框形呈闭合状态或非闭合状。
9.如权利要求8所述的掩膜版图，其特征在于，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形中的任一个用于作为外部图形，另一个用于作为内部图形，所述外部图形用于包围内部图形；所述外部图形的边长为15um至20um，所述内部图形的边长为5um至10um。10.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞宏俊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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