【技术实现步骤摘要】
一种掩模板及晶圆的制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种掩模板及晶圆的制备方法。
技术介绍
[0002]如图1所示，目前的掩模板包括主体区域10和4个边界区域20，所有所述边界区域20围设在所述主体区域10的四周，所有所述边界区域20均为位于主体区域10外的外切割道，且均为单切割道。主体区域10包括芯片图形区11以及设置相邻芯片图形区11之间的内切割道区域12。当芯片图形区域11的尺寸较大时，测试阶段的掩模板上可以排布的芯片图形区域11的数量较少，内切割道区域12的数量也会相应较少，甚至没有内切割道区域（例如掩模板上只有一个芯片图形区域），这就导致测试结构图形（testkey）、临界（关键）尺寸监控标记图形（Critical Dimension Bar，简称CD Bar）和光刻对位图形（Photo Mark）等没有足够的摆放空间。
[0003]为了解决上述问题，通常在相邻的两个边界区域20进行双切割道排版，或者，在一个边界区域20进行多切割道排版，并且仅在最外侧的切割道上设置套刻标记，这就使...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括主体区域、第一边界区域和第二边界区域，所述第一边界区域和所述第二边界区域平行且正对设置在所述主体区域的两侧，所述第一边界区域包括平行设置的第一对准切割道和第二对准切割道，且所述第一对准切割道靠近所述主体区域设置，所述第一对准切割道用于晶圆量产阶段沿第一方向作为相邻曝光场的对准切割道，所述第二对准切割道用于晶圆测试阶段沿第一方向作为相邻曝光场的对准切割道，其中，所述第一方向与所述第一边界区域的延伸方向相互垂直。2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一对准切割道和所述第二对准切割道均设置有第一图形，所述第一对准切割道的第一图形和所述第二对准切割道的第一图形中均包括第一套刻标记单元，且所述第一对准切割道的第一套刻标记单元和所述第二对准切割道的第一套刻标记单元正对设置。3.如权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一对准切割道的第一图形和/或所述第二对准切割道的第一图形还包括测试结构图形、临界尺寸监控标记图形或光刻对位图形。4.如权利要求2或3所述的掩模板，其特征在于，所述第一对准切割道和第二对准切割道是两条相同的切割道。5.如权利要求2或3所述的掩模板，其特征在于，所述第二边界区域形成有单切割道，所述单切割道设置有第二图形，所述第二边界区域的所有所述第二图形与所述第一对准切割道上的所有所述第一图形均错开设置；所述第二边界区域的所有所述第二图形与所述第二对准切割道上的所有所述第一图形均错开设置。6.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一边界区域还包括至少一个第一中间切割道，所述第一对准切割道、所有所述第一中间切割道和所述第二对准切割道均平行设置，且所有所述第一中间切割道位于所述第一对准切割道和第二对准切割道之间，其中，所有所述第一中间切割道设置有第三图形，所述第三图形包括测试结构图形、临界尺寸监控标记图形和光刻对位图形。7.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，还包括第三边界区域和第四边界区域，所述第三边界区域和第四边界区域平行且正对设置在所述主体区域的两侧，且与所述第一边界区域和第二边界区域围设所述主体区域在外侧。8.如权利要求7所述的掩模板，其特征在于，所述第三边界区域和第四边界区域均形成有单切割道，所述单切割道设置有第四图形，所述第四图形包括测试结构图形、临界尺寸监控标记图形和光刻对位图形。9.如权利要求7所述的掩模板，其特征在于，所述第三边界区域包括平行设置的第三对准切割道和第四对准切割道，所述第三对准切割道靠近所述主体区域设置，所述第三对准切割道用于晶圆量产阶段沿第二方向作为相邻曝光场的对准切割道，所述第四对准切割道用于晶圆测试阶段沿第二方向作为相邻曝光场的对准切割道，其中，所述第一方向和第二方向相互垂直；以及所述第四边界区域形成有单切割道，所述单切割道设置有第四图形。10.如权利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述第三对准切割道和第四对准切割道均设置有第五图形，所述第三对准切割道的第五图形和所述第四对准切割道的第五图形中均包括第二套刻标记单元，且所述第三对准切割道的第二套刻标记单元和所述第四对准切
割道的第二套刻标记单元正对设置。11.如权利要求10所述的掩模板，其特征在于，所述第三对准切割道的第五图形和/或所述第四对准切割道的第五图形还包括测试结构图形、临界尺寸监控标记图形或光刻对位图形。12.如权利要求10或11所述的掩模板，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗文澜，张新秀，王迎，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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