【技术实现步骤摘要】
曝光掩模
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0132373号的优先权和权益，该韩国专利申请的整个内容通过引用并入本文中。
[0003]本公开涉及曝光掩模以及使用该曝光掩模的曝光设备的校正方法。
技术介绍
[0004]光刻工艺可以用于形成包括显示装置的装置。
[0005]当在使用曝光设备和曝光掩模执行光刻工艺期间在曝光设备的曝光方向上产生误差时，在通过使用曝光设备的光刻工艺形成的图案中可能产生误差。
[0006]显示装置的分辨率增加并且包括在显示装置中的图案的大小减小，并且相应地，进一步减小曝光设备的曝光方向上的误差的需求在增加。
[0007]在本背景部分中公开的以上信息仅为了增强对所描述的技术的背景的理解，并且因此其可能包含不构成在本国中对本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0008]实施例提供了能够减小在曝光设备的曝光方向上的误差的曝光掩模以及使用该曝光掩模的曝光设备的校正方法。
[0009]然而，通过实施例要解决的问题不限于上述问题，并且可以在包括在实施例中的技术思想的范围内进行各种扩展。
[0010]根据实施例的曝光掩模可以包括被曝于光以在衬底上形成图案的图案部分、围绕图案部分的外围的围绕部分以及布置在围绕部分中的多个校正图案部分。多个校正图案部分可以沿图案部分的边缘以线排列布置。>[0011]多个校正图案部分中的每个可以包括多个校正图案，并且多个校正图案可以沿第一方向以线排列布置，并且可以沿与第一方向垂直的第二方向以线排列布置。
[0012]多个校正图案的布置在第一方向上的相邻的校正图案可以具有第一间距，并且多个校正图案的布置在第二方向上的相邻的校正图案可以具有第二间距。
[0013]第一间距和第二间距可以彼此相同。
[0014]第一间距和第二间距可以为大约20μm。
[0015]多个校正图案可以具有彼此相同的平面形状。
[0016]多个校正图案可以具有彼此相同的面积。
[0017]多个校正图案可以具有四边形形状。
[0018]多个校正图案可以具有十字形形状。
[0019]多个校正图案可以具有带有倒角边缘的四边形形状。
[0020]根据实施例的曝光设备的校正方法可以包括：基于曝光设备的光供给单元的移动
方向和速度来校正光供给单元的光供给方向；在初次校正后光供给方向上曝出光；通过将光曝光于多个校正图案部分来形成多个曝光图案；通过使用曝光图案来确定在光供给方向上是否产生误差；以及基于所确定的误差来校正光供给方向。
[0021]曝出光可以使用曝光掩模。曝光掩模可以包括：被曝于光以在衬底上形成图案的图案部分、围绕图案部分的外围的围绕部分以及布置在围绕部分中的多个校正图案部分。多个校正图案部分可以沿图案部分的边缘以线排列布置。
[0022]确定是否产生误差可以包括：确定多个曝光图案是否沿第一方向和第二方向以线排列布置。
[0023]确定是否产生误差可以包括：测量多个曝光图案沿第一方向或第二方向偏离的距离。
[0024]根据依据实施例的曝光掩模和使用曝光掩模的曝光设备的校正方法，可以能够减小在曝光设备的曝光方向上的误差。
[0025]显而易见的是，实施例的效果不限于上述效果，而是可以在不脱离实施例的精神和范围的情况下在一范围内进行各种扩展。
附图说明
[0026]图1是根据实施例的曝光设备的平面视图。
[0027]图2是示出图1的一部分和光供给方向的正视图。
[0028]图3是简要示出根据实施例的曝光掩模的平面视图。
[0029]图4是根据实施例的曝光掩模的校正图案部分的布局视图。
[0030]图5是图4的部分A的放大视图。
[0031]图6至图8是根据实施例的由曝光掩模形成的曝光图案的布局视图。
[0032]图9是根据实施例的曝光设备的校正方法的流程图。
[0033]图10是根据实施例的曝光掩模的校正图案部分的布局视图。
[0034]图11是图10的部分B的放大视图。
[0035]图12是根据实施例的曝光掩模的校正图案部分的布局视图。
[0036]图13是图12的部分C的放大视图。
具体实施方式
[0037]将在下文中参考示出了实施例的附图更加充分地描述实施例。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以在所有不脱离实施例的精神或范围的情况下以各种不同的方式进行修改。
[0038]与实施例无关的部分的描述被省略，并且在整个说明书中，类似的附图标记表示类似的元件。
[0039]附图仅为了容易理解说明书中公开的实施例，并且说明书中公开的技术思想不受附图限制，并且应被理解为包括包含在实施例的思想和技术范围中的所有修改、等同物或替代物。
[0040]在附图中，一些组成元件被夸大、省略或示意性地图示，并且每个组成元件的大小不完全反映实际大小。在附图中，为了清楚，层、膜、面板、区等的厚度被夸大。在附图中，为
了描述的更好理解以及描述的方便，一些层和区域的厚度被夸大。
[0041]将理解，当诸如层、膜、区或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，该元件能直接在另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在居间元件。此外，词语“上”或“上方”意味着被放置在对象部上或下方，并且不一定意味着基于重力方向被放置在对象部的上侧上。
[0042]除非明确相反描述，否则词语“包括(comprise)”以及变体(诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”)将被理解为意味着包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。
[0043]在整个说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观察对象部，并且短语“在截面上”意味着从侧面观察对象部被垂直切开的截面。
[0044]在说明书中，当提及“连接到”时，这不意味着仅两个或更多个组成元件彼此直接连接，而是两个或更多个组成元件可以通过其它组成元件间接连接和物理连接，并且它们也可以电连接或者根据位置或功能以不同的名称被提及，并且可以意味着它们为一个主体。
[0045]在下文中，将参考附图详细描述各种实施例和变化。
[0046]首先，参考图1描述根据实施例的曝光设备1。图1是根据实施例的曝光设备1的平面视图。
[0047]参考图1，根据实施例的曝光设备1可以包括用于支撑为处理目标的衬底SB的衬底支撑板SP、将用于曝光的光(诸如激光)供给到安装在衬底支撑板SP上的衬底SB的光供给单元LS以及光源支撑单元LSB，光供给单元LS被安装到光源支撑单元LSB并且光源支撑单元LSB使光供给单元LS移动。
[0048]光供给单元LS可以在沿光源支撑本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种曝光掩模，其特征在于，包括：图案部分，所述图案部分被曝于光以在衬底上形成图案；围绕部分，所述围绕部分围绕所述图案部分的外围；以及多个校正图案部分，所述多个校正图案部分布置在所述围绕部分中，其中，所述多个校正图案部分沿所述图案部分的边缘以线排列布置。2.根据权利要求1所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案部分中的每个包括多个校正图案，并且所述多个校正图案沿第一方向以线排列布置，并且沿与所述第一方向垂直的第二方向以线排列布置。3.根据权利要求2所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案的布置在所述第一方向上的相邻的校正图案具有第一间距，并且所述多个校正图案的布置在所述第二方向上的相邻的校正图案...
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