光刻版及套刻对准方法技术

技术编号:37852116 阅读:27 留言:0更新日期:2023-06-14 22:43
本发明专利技术涉及一种光刻版及套刻对准方法,所述光刻版包括对位标记,所述对位标记包括:主对位图形;至少两个旋转判别图形,每个旋转判别图形均靠近所述主对位图形设置且位于第一区域,所述至少两个旋转判别图形包括偏转角的绝对值相同、方向相反的两个旋转判别图形;所述偏转角为每个旋转判别图形的中心与主对位图形的中心的连线与所述主对位图形形成的夹角,所述方向相反指两个偏转角的其中一个位于主对位图形的顺时针旋转方向、另一个位于主对位图形的逆时针旋转方向;其中,所述第一区域为所述主对位图形绕主对位图形的中心旋转360度获得的区域中除所述主对位图形之外的区域。本发明专利技术可以避免套刻对准时对位到相邻的shot上,提高套刻对准的成功率。提高套刻对准的成功率。提高套刻对准的成功率。

【技术实现步骤摘要】
光刻版及套刻对准方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域,特别是涉及一种光刻版,还涉及一种套刻对准方法。

技术介绍

[0002]在MEMS(Micro

Electro

Mechanical System,微机电系统)晶圆产品生产中,由于工艺特殊性,通常使用SUSS(即SUSS MicroTec公司的机台)的接近式曝光机台代替原有的Stepper(步进)或Scanner(扫描)机台进行光刻的曝光工作。在使用标准的SUSS对位标记进行曝光时,偶发性的会出现光刻图形严重偏移(光刻对偏)的问题。

技术实现思路

[0003]基于此,有必要提供一种能够提高套刻对准的成功率的光刻版。
[0004]一种光刻版,包括对位标记,所述对位标记包括:主对位图形;至少两个旋转判别图形,每个旋转判别图形均靠近所述主对位图形设置且位于第一区域,所述至少两个旋转判别图形包括偏转角的绝对值相同、方向相反的两个旋转判别图形;所述偏转角为每个旋转判别图形的中心与主对位图形的中心的连线与所述主对位图形形成的夹角,所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻版,包括对位标记,其特征在于,所述对位标记包括:主对位图形;至少两个旋转判别图形,每个旋转判别图形均靠近所述主对位图形设置且位于第一区域,所述至少两个旋转判别图形包括偏转角的绝对值相同、方向相反的两个旋转判别图形;所述偏转角为每个旋转判别图形的中心与主对位图形的中心的连线与所述主对位图形形成的夹角,所述方向相反指两个偏转角的其中一个位于主对位图形的顺时针旋转方向、另一个位于主对位图形的逆时针旋转方向;其中,所述第一区域为所述主对位图形绕主对位图形的中心旋转360度获得的区域中除所述主对位图形之外的区域。2.根据权利要求1所述的光刻版,其特征在于,所述主对位图形为十字形,所述主对位图形包括两个相互垂直的条形,所述偏转角为旋转判别图形的中心与主对位图形的中心的连线与最近的所述条形形成的夹角。3.根据权利要求2所述的光刻版,其特征在于,所述对位标记的旋转判别图形的数量为两个,其中一个靠近一所述条形的一端设置、另一个靠近另一端设置。4.根据权利要求3所述的光刻版,其特征在于,两个所述条形的长度为72微米,宽度为8微米,两个所述旋转判别图形为正方形且边长为4微米。5.根据权利要求1所述的光刻版,其特征在于,各所述旋转判别图形的偏转角的绝对值为arctan(X/D1),其中D1为所述对位标记形成于晶圆上时与晶圆中心的距离,X为所述光刻版在曝光时单个曝光区域的X方向尺寸,所述X方向在晶圆平面上垂...

【专利技术属性】
技术研发人员:任涛樊航马如贵秦祥
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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