一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在第一区上形成第一栅极结构，在第二区上形成第二栅极结构；在第一栅极结构两侧的衬底内形成第一轻掺杂区和第一袋状掺杂区，第一轻掺杂区和第一袋状掺杂区的导电类型相反，第一袋状掺...

一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备，光电传感器包括：隔离结构，位于感光单元之间的像素基底内，隔离结构包括导电层；多个互连结构，分布于像素基底内且端部露出于第二表面，互连结构包括位于第一引线区的第一互连结构和位于第二引线区的第二互连...

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：第一基底，所述第一基底包括芯片区以及包围所述芯片区的保护环区；位于所述保护环区内的保护环结构，所述保护环结构包括若干通孔；这样的半导体结构在使用的过程中一方面由于若干个通孔单独存在，相邻的...

一种光电传感器及其形成方法、电子设备，所述光电传感器包括：基底，基底具有受光面，且基底包括感光像素区，感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区；多个陷光槽，位于像素单元区的部分厚度的基底中，且位于基底的受光面一侧，所述多个陷光槽沿行方向...

一种光掩膜版传输轨道及自动化传输系统、光掩膜版传输轨道的设计方法及系统、设备以及存储介质，光掩膜版传输轨道包括：一个或多个横向轨道，沿横向延伸且经过第一类承载模块的上方；多个纵向轨道，横跨多个光刻设备，纵向轨道沿纵向延伸且经过第二类承载...

一种晶圆混合键合方法及磨削装置，其中方法包括：自第一面朝第二面方向对初始边缘区进行第一磨削处理以形成第一晶圆结构，第一晶圆结构包括功能区和环绕功能区的边缘区，边缘区上具有第一磨削口，第一磨削口的侧壁与第一面的夹角呈钝角；在第一介质层内形...

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，所述衬底包括第一区、位于所述第一区上的绝缘层以及位于所述绝缘层上的第二区，以所述第一区暴露出的表面为所述衬底的第一面，以所述第二区暴露的表面为所述衬底的第二面；位于所述第二区内的若干相互分...

本发明提供一种晶圆键合的方法，将第一晶圆和第二晶圆相键合以形成键合晶圆，在第一晶圆和第二晶圆的边缘处的键合界面填充粘合剂，在填充粘合剂后，对键合晶圆进行减薄处理；这样一方面在对所述键合晶圆进行减薄处理时，由于所述键合界面填充所述粘合剂，...

一种物料搬送系统。所述系统可以包括：运输轨道，以及可沿所述运输轨道运动的搬运装置；其中：所述运输轨道包括：主轨道，以及至少一个分支轨道；所述主轨道在搬运通道所在平面上的投影，位于所述搬运通道上；所述分支轨道在搬运通道所在平面上的投影，位...

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括存储区，存储区包括第一区和第二区；位于第一区内的第一隔离沟槽；位于第一隔离沟槽内的第一隔离层，第一隔离层覆盖第一隔离沟槽的底部表面和部分侧壁表面；位于第二区内的若干附加沟槽；位于第...

一种基于蚁群算法的机台产能优化方法、装置、设备及介质。所述方法包括：获取蚁群算法参数信息，以及获取机台的初始腔体配置信息；利用蚁群算法，基于所述机台的初始腔体配置信息及所述蚁群算法参数信息，计算得到机台的最大总产能值；按照所述机台的最大...

一种漏电流测量结构和测量方法、以及测量结构的形成方法，漏电流测试方法，包括：提供测试结构，所述测试结构包括第一测试结构和第二测试结构，所述第一测试结构包括第一MOS器件，所述第二测试结构包括第二MOS器件；将所述第一MOS器件的基底和栅...

本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一衬底、位于所述第一衬底上的互连结构、位于所述互连结构上的第二衬底、以及，位于所述第二衬底上的多个层结构，其中，所述多个层结构中至少包括靠近所述基底表面...

一种晶圆混合键合结构及方法，其中结构包括：位于第一晶圆的功能面表面的第一介质层，第一介质层内具有第一沟槽以及第一通孔，若干第一通孔对应一个第一沟槽且与第一沟槽相连通；位于第一通孔和第一沟槽内的第一导电层；与第一晶圆相键合的第二晶圆，第二...

一种半导体结构，包括：第一掺杂区，位于二极管区的衬底内；第二掺杂区，位于第一掺杂区上，第二掺杂区与第一掺杂区的掺杂类型不同；连接阱区，位于二极管区中的环绕第一掺杂区和第二掺杂区的衬底内，连接阱区与第一掺杂区的掺杂类型相同，且沿平行于衬底...

一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：基底，所述基底包括器件、隔离层和互连金属层；其中，所述基底包括用于设置导电凸块的窗口区；位于所述基底朝向所述互连金属层一侧的焊垫层，其中，所述焊垫层包括用于电连接所述互连金属层的焊垫电极，所述...

一种晶圆键合方法及晶圆键合结构，其中结构包括：第一晶圆，第一晶圆包括若干依次包围的第一键合区，各个第一键合区内具有若干第一金属层，自内侧向外侧的第一键合区内的第一金属层的密度逐次增加或逐次减小。由于各个第一键合区为依次包围的紧密分布，自...

一种TSV结构及其形成方法，方法包括：以硬掩膜层为掩膜，形成贯穿掩膜开口下方的第二复合介电层、第二基底以及第一复合介电层的贯穿通孔，贯穿通孔的底部暴露出互连层；在贯穿通孔的底部和侧壁、掩膜开口的侧壁以及硬掩膜层上形成种子层；在位于硬掩膜...

一种图像传感器及其形成方法，其方法包括：提供初始第一衬底，初始第一衬底包括光电外延层，光电外延层具有相对的初始第一面和第二面；对初始第一面进行表面处理，在初始第一面内形成若干呈阵列排布的开口，以形成第一面，若干开口自第一面向第二面凹陷，...

一种测试结构及其形成方法，其中测试结构包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一面和第二面，所述器件晶圆内具有器件结构、以及与所述器件结构连接的顶层导电层；裸片晶圆，所述裸片晶圆包括相对的第三面和第四面，所述裸片晶圆的第三面与所述器件晶...