漏电流测量结构和测量方法、以及测量结构的形成方法技术

一种漏电流测量结构和测量方法、以及测量结构的形成方法，漏电流测试方法，包括：提供测试结构，所述测试结构包括第一测试结构和第二测试结构，所述第一测试结构包括第一MOS器件，所述第二测试结构包括第二MOS器件；将所述第一MOS器件的基底和栅极接地，且将源区和漏区接电源电压，在所述第一MOS器件的基底获得第一电流值；将所述第二MOS器件的漏区、栅极和源区接电源电压，且将基底接地，在所述第二MOS器件的基底获得第二电流值；根据所述第一电流值和所述第二电流值，获得所述测试结构的栅诱导漏极泄漏电流值和结漏电流值，提高栅诱导漏极泄漏电流和结漏电流测量的精确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种漏电流测量结构和测量方法、以及测量结构的形成方法。

技术介绍

1、随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低功耗，金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,缩写为mosfet，简称mos器件)的特征尺寸不断缩小，漏电问题日益严重。

2、应用于ar/vr显示的硅基有机发光二极管(organic light-emitting diode，缩写为oled)芯片，基于其性能稳定、体积小、低功耗等优点，具有广阔的发展前景。伴随着硅基oled芯片的发展，产品对mos器件漏电提出了更高的要求，开发超低漏电器件迫在眉睫。

3、在关断状态下，mos器件的漏电流主要包括栅诱导漏极泄漏电流(gate-induceddrain leakage，缩写为gidl)、结漏电流(junction leakage)、栅漏电流(gate leakage)以及沟道漏电流(channel leaka本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种漏电流测量结构，其特征在于，包括：

2.一种漏电流测量结构的形成方法，其特征在于，包括：

3.一种漏电流测量方法，其特征在于，包括：

4.如权利要求3所述的漏电流测量方法，其特征在于，所述第一测试结构还包括：使所述第一MOS器件的基底和栅极电互连的第一互连层，以及使所述第一MOS器件的源区和漏区电互连的第二互连层。

5.如权利要求4所述的漏电流测量方法，其特征在于，获取第一电流值的方法包括：将所述第一互连层接地，且在所述第二互连层施加电源电压。

6.如权利要求3所述的漏电流测量方法，其特征在于，所述第二测试结构还包括：使...

【技术特征摘要】

1.一种漏电流测量结构，其特征在于，包括：

2.一种漏电流测量结构的形成方法，其特征在于，包括：

3.一种漏电流测量方法，其特征在于，包括：

4.如权利要求3所述的漏电流测量方法，其特征在于，所述第一测试结构还包括：使所述第一mos器件的基底和栅极电互连的第一互连层，以及使所述第一mos器件的源区和漏区电互连的第二互连层。

5.如权利要求4所述的漏电流测量方法，其特征在于，获取第一电流值的方法包括：将所述第一互连层接地，且在所述第二互连层施加电源电压。

6.如权利要求3所述的漏电流测量方法，其特征在于，所述第二测试结构还包括：使所述第二mos器件的漏区、栅极和源区电互连的第三互连层，以及连接所述第二mos器件的基底的第四互连层，所述第二mos器件和所述第一mos器件为制程相同的器件。

7.如权利要求6所述的漏电流测量方法，其特征在于，获取第二电流值的方法包括：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊男，吴瑞伟，陈勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：