【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、目前，半导体集成电路(ic)产业已经经历了指数式增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了数代ic，其中，每代ic都比前一代ic具有更小和更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)普遍增加，几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)不断减小。除了ic部件变得更小和更复杂之外，在其上制造ic的晶圆变得越来越大，提高半导体器件的集成度已成为当前发展的重要方向。
2、为了提高半导体器件的集成度，通常需要将多个存储芯片与逻辑芯片整合在一起，形成半导体器件。通过所述逻辑芯片向所述存储芯片发送控制信号，以实现存储芯片的写入、读取和擦除等操作。当前在整合多颗存储芯片与逻辑芯片的过程中，由于用于整合多颗存储芯片和逻辑芯片的封装整合电路需要频繁更换掩膜版，并分别进行多次曝光、显影工艺，因而，存在整合效率低等问题，从而降低了半导体制造效率。
3、因此，如何提高封装整合电路的制造效率，是当前亟待解决的技术问题。
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【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底的多个所述单元区域中依次形成多个曝光区域的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光罩图案的数量为多个；于所述衬底的多个所述单元区域中依次形成多个曝光区域的具体步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用所述当前光罩图案对所述衬底中的多个所述单元区域进行曝光的具体步骤包括：采用所述当前光罩图案同时对所述衬底中的多个所述单元区域进行曝光；或者，
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底的多个所述单元区域中依次形成多个曝光区域的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光罩图案的数量为多个；于所述衬底的多个所述单元区域中依次形成多个曝光区域的具体步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用所述当前光罩图案对所述衬底中的多个所述单元区域进行曝光的具体步骤包括：采用所述当前光罩图案同时对所述衬底中的多个所述单元区域进行曝光；或者，
5.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用所述当前光罩图案依次对所述衬底中的多个所述单元区域进行曝光的具体步骤包括：
6.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光罩图案的数量为四个以上，且每个所述光罩图案执行至少一次所述循环步骤。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底的多个所述单元区域中依次形成多个曝光区域的具体步骤包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底的多个所述单元区域中依次形成多个曝光区域之前，还包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底的多个所述单元区域中依次形成多个曝光区域的具体步骤包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预曝光区域包括器件区域、以及围绕所述器件区域的外周分布的切割道区域；
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【专利技术属性】
技术研发人员：薛东，刘志拯，李宗翰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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