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本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括多个单元区域；于所述衬底的多个所述单元区域中依次形成多个曝光区域；于多个所述单元区域中多个曝光区域分别形成转接电路结构。本公开提高了半导体结构...
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