一种MOS电容器及其形成方法技术

本申请提供一种MOS电容器及其形成方法，所述电容器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干用于隔离有源区的隔离结构；离子注入区，位于所述有源区中；若干凹陷结构，位于所述离子注入区表面，用于增加所述离子注入区的表面积；栅氧层和栅极层，依次位于所述离子注入区表面和所述凹陷结构表面。本申请提供一种MOS电容器及其形成方法，在栅氧层下的离子注入区形成若干凹陷结构，增大栅氧层的表面积，可以在保持栅氧层厚度的条件下增加MOS电容器的电容密度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种mos电容器及其形成方法。

技术介绍

1、在ic电路设计中，经常会用到电容器。芯片内部的电容器早期通常使用金属电极充当上下基板，金属电极电容器的缺点是需要占用大量的芯片面积，降低芯片的集成度，影响芯片性能。基于此，mos电容因此产生，mos电容具有工艺兼容性，及设计简单与节省面积等优点，因此被大量的使用于芯片设计中。

2、然而，为了提高芯片集成度，要求提高mos电容的电容密度。在现有的工艺情况下，通常是通过降低介电层厚度，以增加电容，但是太薄的介质层往往会引起击穿电压异常。

3、因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案，在保持介电层的厚度的条件下增加mos电容密度。

技术实现思路

1、本申请提供一种mos电容器及其形成方法，可以在保持栅氧层厚度的条件下增加mos电容器的电容密度。

2、本申请的一个方面提供一种mos电容器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干用于隔离有源区的隔离结构；在所述有源区中形成离子注入区；在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOS电容器的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述凹陷结构为呈网格状分布的若干沟槽。

3.如权利要求2所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述若干沟槽的纵截面图形包括矩形或倒梯形。

4.如权利要求2所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述若干沟槽的深宽比小于2∶1。

5.如权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述凹陷结构为若干呈阵列分布的小孔。

6.如权利要求5所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述若干小孔的结构包括圆柱形、倒圆锥形、倒金字塔形。

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【技术特征摘要】

1.一种mos电容器的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述凹陷结构为呈网格状分布的若干沟槽。

3.如权利要求2所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述若干沟槽的纵截面图形包括矩形或倒梯形。

4.如权利要求2所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述若干沟槽的深宽比小于2∶1。

5.如权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述凹陷结构为若干呈阵列分布的小孔。

6.如权利要求5所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述若干小孔的结构包括圆柱形、倒圆锥形、倒金字塔形。

7.如权利要求5所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述若干小孔的深宽比小于2∶1。

8.如权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，形成所述凹陷结构的方法包括：湿法刻蚀工艺、干法刻蚀工艺、tmah工艺。

9.如权利要求8所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述tmah工艺包括：使用浓度为200-300g/l的tmah溶液对所述离子注入区表面进行腐蚀，腐蚀时间为100至120秒，反应温度为70至80度。

10.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张党柱，朱宏亮，周欣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：