一种晶体管欧姆接触的制备方法及晶体管欧姆接触器件技术

本发明专利技术提供了一种晶体管欧姆接触的制备方法及晶体管欧姆接触器件，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成超薄势垒层；在势垒层上形成金属堆栈图案；对金属堆栈图案进行高温退火处理，使金属堆栈图案与势垒层之间欧姆接触；在势垒层及金属堆栈图案的表面形成双层钝化层恢复沟道2DEG。通过优化工艺顺序，在形成金属堆栈图案之后，先做高温退火处理实现超低电阻的欧姆接触，之后在势垒层及金属堆栈图案表面形成钝化层做钝化处理，可以避免高温退火损坏钝化层，有利于提高Al(In,Ga)N/GaN HEMT的频率特性，为增强型射频器件功率器件的产业化提供了可行性方案，为高频增强型射频器件的制造奠定工艺基础，拓宽Al(In,Ga)N/GaN HEMT在微波射频领域的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种晶体管欧姆接触的制备方法及晶体管欧姆接触器件。

技术介绍

1、gan(氮化镓)材料的禁带宽度大，电子饱和速率高，击穿场强大，特别是al(in,ga)n/gan异质结构形成的高浓度高迁移率的二维电子气(2deg)，可以制成高电子迁移率晶体管(hemt)，使得其在微波大功率器件领域有着巨大的应用潜力。欧姆接触是器件与外部电路的连接通道，降低欧姆接触电阻可以进一步降低器件导通电阻和功率损耗从而增al(in,ga)n/gan hemt的饱和电流及跨导等物理特性，有助于al(in,ga)n/gan hemt实现作为大功率，高频和高温高压设备的全部潜力。同时为了降低电路的设计难度实现增强型的al(in,ga)n/gan hemt是非常必要的，而薄势垒外延结构是实现增强型射频器件的良好选择，但由于其天然的低2deg浓度，实现2deg的恢复是降低薄势垒欧姆接触的工作重点。同时常规的欧姆接触制造流程是先淀积钝化介质再淀积金属并高温退火，但是，高温退火容易损坏钝化介质。

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管欧姆接触的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述势垒层及所述金属堆栈图案的表面形成钝化层包括：

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述势垒层及所述金属堆栈图案的表面形成由氮化铝组成的第一子钝化层，包括：采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述势垒层及所述金属堆栈图案的表面形成由氮化铝组成的第一子钝化层；

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述势垒层上形成金属堆栈图案包括：

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述势垒层的厚度小于10nm。...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管欧姆接触的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述势垒层及所述金属堆栈图案的表面形成钝化层包括：

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述势垒层及所述金属堆栈图案的表面形成由氮化铝组成的第一子钝化层，包括：采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述势垒层及所述金属堆栈图案的表面形成由氮化铝组成的第一子钝化层；

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述势垒层上形成金属堆栈图案包括：

5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姬源，黄森，刘新宇，蒋其梦，王鑫华，魏珂，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：