【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种封装方法。
技术介绍
1、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。相应的，对集成电路的封装要求也日益提高，在多芯片组件(multichip-module，mcm)x、y平面内的二维封装的基础上，沿z方向堆叠的3d封装技术得到了充分发展，且所述3d封装技术具有更高密度。
2、三维集成电路(3d ic：three-dimensional integrated circuit)是利用先进的芯片堆叠技术制备而成，将具不同功能的芯片堆叠成具有三维结构的集成电路。相较于二维结构的集成电路，三维集成电路的堆叠技术不仅可使三维集成电路信号传递路径缩短，还可以使三维集成电路的运行速度加快，从而满足半导体器件更高性能、更小尺寸、更低功耗以及更多功能的需求。
3、根据三维集成电路中芯片间连接方法的不同，使堆叠的芯片能互连的技术分为金属引线封装(wire bonding)、倒装芯片封装(wafer bonding)以及穿透硅通孔封装(through silicon via，tsv)。其中，由于tsv封装技术具有能够使芯片在三维方向堆叠的密度增大、芯片之间的互连线缩短、外形尺寸减小，并且可以大大改善芯片速度和低功耗的性能，成为了三维集成电路中堆叠芯片实现互连的最常用的方法。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装方法，提高封装可靠性。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供
3、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
4、本专利技术实施例提供的封装方法中，在键合面上形成临时保护膜后，对晶圆进行边缘清洗处理，对晶圆进行边缘清洗处理后，去除临时保护膜，再将第一晶圆与第二晶圆相键合；本专利技术实施例中，在键合面上形成临时保护膜后，对晶圆进行边缘清洗处理，有利于减小边缘清洗处理对晶圆边缘以内的位置造成损伤的概率，从而减小因晶圆表面损伤而在第一晶圆与第二晶圆键合后，键合面处产生空洞缺陷的概率，进而提高了第一晶圆和第二晶圆的键合效果，相应提高了封装可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述键合面上形成临时保护膜的步骤包括：利用静电作用将所述临时保护膜吸附于所述键合面上；
3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述键合面上形成临时保护膜的步骤包括：在所述键合面上涂布粘合剂；利用所述粘合剂将所述临时保护膜粘合至所述键合面上；
4.如权利要求1至3任一项所述的封装方法，其特征在于，所述临时保护膜的材料包括树脂材料。
5.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述粘合剂的材料包括水溶型粘合剂、热熔型粘合剂、溶剂型粘合剂、乳液型粘合剂、无溶剂液体粘合剂中的一种或者多种。
6.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，清洗去除所述键合面上的粘合剂的步骤中，采用的清洗溶液包括纯水、丙酮、IPA、HCl、H2SO4中的一种或者多种组成的混合液体，或者，清洗溶液包括SC1标准溶液或SC2标准溶液，或者，清洗溶液包括有机溶剂。
7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述键合面上形成临时保护膜的步骤包括：在所述键
8.如权利要求1或7所述的封装方法，其特征在于，所述临时保护膜的材料包括光敏材料；
9.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述光敏材料包括光刻胶。
10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，对所述晶圆进行边缘清洗处理的步骤中，对所述晶圆的边缘的预设宽度进行所述边缘清洗处理；
11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述预设宽度与所述临时保护膜的边缘与所述晶圆的边缘之间的间距之差为1μm至1000μm。
12.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，采用边圈去除工艺对所述晶圆进行边缘清洗处理。
13.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述提供多个所述晶圆的步骤中，所述晶圆的键合面上形成有互连焊垫；
14.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述键合面上形成临时保护膜的步骤中，所述临时保护膜覆盖进行边缘减薄处理后的剩余键合面；
15.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆进行边缘减薄处理的步骤中，对靠近所述键合面的部分厚度的所述第一晶圆和/或所述第二晶圆进行边缘减薄处理；
16.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆进行边缘减薄处理的步骤中，沿所述第一晶圆和/或所述第二晶圆的边缘减薄的部分宽度的尺寸为0.5mm至10mm。
...【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述键合面上形成临时保护膜的步骤包括：利用静电作用将所述临时保护膜吸附于所述键合面上；
3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述键合面上形成临时保护膜的步骤包括：在所述键合面上涂布粘合剂；利用所述粘合剂将所述临时保护膜粘合至所述键合面上；
4.如权利要求1至3任一项所述的封装方法，其特征在于，所述临时保护膜的材料包括树脂材料。
5.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述粘合剂的材料包括水溶型粘合剂、热熔型粘合剂、溶剂型粘合剂、乳液型粘合剂、无溶剂液体粘合剂中的一种或者多种。
6.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，清洗去除所述键合面上的粘合剂的步骤中，采用的清洗溶液包括纯水、丙酮、ipa、hcl、h2so4中的一种或者多种组成的混合液体，或者，清洗溶液包括sc1标准溶液或sc2标准溶液，或者，清洗溶液包括有机溶剂。
7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述键合面上形成临时保护膜的步骤包括：在所述键合面上沉积所述临时保护膜。
8.如权利要求1或7所述的封装方法，其特征在于，所述临时保护膜的材料包括光敏材料；
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【专利技术属性】
技术研发人员：史鲁斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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