【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种掩模板及其组件、半导体结构及其形成方法和量测方法。
技术介绍
1、电荷耦合器件在军事、工业监控、安防监控等领域有广泛应用，随着工艺水平提高，ccd朝着更大象素和阵列尺寸发展，以满足日益增长的应用需求，虽然大阵列ccd芯片所用晶圆可以满足要求，但光刻机最大曝光区域却不能满足ccd需求，因此需要采用拼接曝光的方式进行光刻工艺制作。
2、相比于正常光刻工艺的层间对准技术，掩模拼接既需要考虑层间对准，还必须考虑同层图形的对准问题。拼接处经常会发生变形、不连贯、线条变宽或变窄等图形缺陷问题，特别是如果光刻后续是刻蚀工艺，后续的刻蚀步骤会进一步放大光刻拼接产生的图形缺陷，严重影响工艺制作图形质量，最终会影响大阵列ccd性能指标。
3、但是现有的量测方式，难以全面监控同层图形的对准情况，量测精度较低。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是如何提高掩模组件拼接的对准精度和量测精度。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种掩模板，包括：至少1个第一对准量测图形组，所述第一对准量测图形组包括：至少1个第一对准多边形；至少1个量测图形组，所述量测图形组包括：多个梳状图形，同一所述量测图形组中不同梳状图形的齿间距不相等；所述至少1个第一对准多边形和所述至少1个量测图形组围成第一标记多边形。
3、可选的，所述第一对准量测图形组包括：多个第一对准多边形，多个所述第一对准多边形分别位于所述第一标记多边形的多个顶点的位置
4、可选的，所述第一对准量测图形组包括：多个量测图形组，多个所述量测图形组分别位于所述第一标记多边形的多个边的位置。
5、可选的，沿所述第一标记多边形的边延伸方向，同一量测图形组中的多个梳状图形齿间距单调变化。
6、可选的，所述第一标记多边形为平行四边形；所述第一标记多边形中，相平行的边的位置上的量测图形组中的多个梳状图形齿间距变化相反。
7、此外，本专利技术还提供一种掩模板，包括：至少1个第二对准量测图形组，所述第二对准量测图形组包括：至少1个第二对准图形，所述第二对准图形包括：对准区域和包围至少部分所述对准区域的包络区域；至少1个量测图形组，所述量测图形组包括：多个梳状图形，同一所述量测图形组中不同梳状图形的齿间距不相等；所述至少1个第二对准多边形和所述至少1个量测图形组围成第二标记多边形。
8、可选的，所述第二对准量测图形组包括：多个第二对准图形，多个所述第二对准图形分别位于所述第二标记多边形的多个顶点的位置。
9、可选的，所述第二对准量测图形组包括：多个量测图形组，多个所述量测图形组分别位于所述第二标记多边形的多个边的位置。
10、可选的，沿所述第二标记多边形的边延伸方向，同一量测图形组中的多个梳状图形齿间距单调变化。
11、可选的，所述第二标记多边形为平行四边形；所述第二标记多边形中，相平行的边的位置上的量测图形组中的多个梳状图形齿间距变化相反。
12、相应的，本专利技术还提供一种掩模组件，包括：第一掩模板，所述第一掩模板为本专利技术的一种掩模板；第二掩模板，所述第二掩模板为本专利技术的另一种掩模板；所述第一掩模板的图形和所述第二掩模板的图形拼接以获得完整的掩模图形时，所述第一掩模板的至少1个第一对准量测图形组的图形与所述第二掩模板的至少1个第二对准量测图形组的图形一一对应。
13、可选的，所对应的第一对准量测图形组和第二对准量测图形组中，所述第一对准多边形和所述第二对准图形的对准区域为面积不相等的相似形。
14、可选的，所对应的第一对准量测图形组和第二对准量测图形组中，第一标记多边形和第二标记多边形为面积不等的相似形。
15、可选的，所述第一掩模板的图形和所述第二掩模板的图形拼接以获得完整的掩模图形时，所对应的第一对准量测图形组和第二对准量测图形组中，所对应的第一掩模板的梳状图形的梳齿条与第二掩模板的梳状图形的梳齿条交替排布。
16、另外，本专利技术还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底和掩模组件，所述掩模组件为本专利技术的掩模组件；将所述掩模组件的图形转移至所述基底上，将所述掩模组件的图形转移至所述基底上的步骤包括：将下层掩模板的图形转移至所述基底以形成第一图形化金属层，所述下层掩模板为所述第一掩模板和所述第二掩模板中的一个；将上层掩模板的图形转移至所述第一图形化金属层以形成第二图形金属层，所述上层掩模板为所述第一掩模板和所述第二掩模板中的另一个。
17、相应的，本专利技术还提供一种半导体结构，所述半导体结构由本专利技术的半导体结构的形成方法形成。
18、另外的，本专利技术还提供一种半导体结构的量测方法，所述半导体结构为本专利技术的半导体结构。所述半导体结构包括：第二图形化金属层；所述第二图形化金属层包括：至少1个第一量测结构组，所述第一量测结构组为所述第一对准量测图形组转移至所述基底所形成；至少1个第二量测结构组，所述第二量测结构组为所述第二对准量测图形组转移至所述基底所形成；所述量测方法包括：根据至少1个第一量测结构组和至少1个第二量测结构组，量测拼接偏移情况。
19、可选的，所述第一量测结构组包括：至少1个第一对准结构，所述第一对准结构为所述第一对准多边形转移至所述基底所形成；所述第二量测结构组包括：至少1个第二对准结构，所述第二对准结构为所述第二对准多边形转移至所述基底所形成；量测拼接偏情况的步骤包括：根据至少1个第一对准结构和至少1个第二对准结构，判断图形拼接是否符合工艺要求。
20、可选的，所述第一量测结构组包括：至少1个量测组件，所述量测组件包括：多个梳状件；所述第二量测结构组包括：至少1个量测组件，所述量测组件包括：多个梳状件；量测拼接偏情况的步骤包括：根据所述第一量测结构组和所述第二量测结构组，获得垂直梳齿条延伸方向的偏移量。
21、可选的，获得垂直梳齿条延伸方向的偏移量的步骤包括：逐个测量第一量测结构组中量测组件的梳状件与所对应的第二量测结构组中量测组件的梳状件之间的电阻值；根据所述电阻值以及与所述电阻值相对应的梳状件的齿间距，获得垂直梳齿延伸方向的偏移量。
22、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
23、本专利技术技术方案中，由包括第一掩模板和第二掩模板的掩模组件所构成的半导体结构包括：第二图形化金属层，所述第二图形化金属层包括：至少1个第一量测结构组和至少1个第二量测结构组；根据所述第二图形化金属层的至少1个第一量测结构组和至少1个第二量测结构组，量测拼接偏情况。性能测试结果，监控掩模拼接情况，精度更高，能够准确判断图形对准情况，也为线上缺陷扫描增加了监测位置。
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1.一种掩模板，其特征在于，包括：至少1个第一对准量测图形组，所述第一对准量测图形组包括：
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一对准量测图形组包括：多个第一对准多边形，多个所述第一对准多边形分别位于所述第一标记多边形的多个顶点的位置。
3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一对准量测图形组包括：多个量测图形组，多个所述量测图形组分别位于所述第一标记多边形的多个边的位置。
4.如权利要求3所述的掩模板，其特征在于，沿所述第一标记多边形的边延伸方向，同一量测图形组中的多个梳状图形齿间距单调变化。
5.如权利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述第一标记多边形为平行四边形；
6.一种掩模板，其特征在于，包括：至少1个第二对准量测图形组，所述第二对准量测图形组包括：
7.如权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述第二对准量测图形组包括：多个第二对准图形，多个所述第二对准图形分别位于所述第二标记多边形的多个顶点的位置。
8.如权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述第二对准量测图形组包
9.如权利要求8所述的掩模板，其特征在于，沿所述第二标记多边形的边延伸方向，同一量测图形组中的多个梳状图形齿间距单调变化。
10.如权利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述第二标记多边形为平行四边形；
11.一种掩模组件，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的掩模组件，其特征在于，所对应的第一对准量测图形组和第二对准量测图形组中，所述第一对准多边形和所述第二对准图形的对准区域为面积不相等的相似形。
13.如权利要求11所述的掩模组件，其特征在于，所对应的第一对准量测图形组和第二对准量测图形组中，第一标记多边形和第二标记多边形为面积不等的相似形。
14.如权利要求11所述的掩模组件，其特征在于，所述第一掩模板的图形和所述第二掩模板的图形拼接以获得完整的掩模图形时，所对应的第一对准量测图形组和第二对准量测图形组中，所对应的第一掩模板的梳状图形的梳齿条与第二掩模板的梳状图形的梳齿条交替排布。
15.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
16.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求15所述的半导体结构的形成方法形成。
17.一种半导体结构的量测方法，其特征在于，所述半导体结构如权利要求16所述；
18.如权利要求17所述的量测方法，其特征在于，所述第一量测结构组包括：至少1个第一对准结构，所述第一对准结构为所述第一对准多边形转移至所述基底所形成；所述第二量测结构组包括：至少1个第二对准结构，所述第二对准结构为所述第二对准多边形转移至所述基底所形成；
19.如权利要求17所述的量测方法，其特征在于，所述第一量测结构组包括：至少1个量测组件，所述量测组件包括：多个梳状件；所述第二量测结构组包括：至少1个量测组件，所述量测组件包括：多个梳状件；
20.如权利要求19所述的量测方法，其特征在于，获得垂直梳齿条延伸方向的偏移量的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：至少1个第一对准量测图形组，所述第一对准量测图形组包括：
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一对准量测图形组包括：多个第一对准多边形，多个所述第一对准多边形分别位于所述第一标记多边形的多个顶点的位置。
3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一对准量测图形组包括：多个量测图形组，多个所述量测图形组分别位于所述第一标记多边形的多个边的位置。
4.如权利要求3所述的掩模板，其特征在于，沿所述第一标记多边形的边延伸方向，同一量测图形组中的多个梳状图形齿间距单调变化。
5.如权利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述第一标记多边形为平行四边形；
6.一种掩模板，其特征在于，包括：至少1个第二对准量测图形组，所述第二对准量测图形组包括：
7.如权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述第二对准量测图形组包括：多个第二对准图形，多个所述第二对准图形分别位于所述第二标记多边形的多个顶点的位置。
8.如权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述第二对准量测图形组包括：多个量测图形组，多个所述量测图形组分别位于所述第二标记多边形的多个边的位置。
9.如权利要求8所述的掩模板，其特征在于，沿所述第二标记多边形的边延伸方向，同一量测图形组中的多个梳状图形齿间距单调变化。
10.如权利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述第二标记多边形为平行四边形；
11.一种掩模组件，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的掩模组...
【专利技术属性】
技术研发人员：张天夫，段培业，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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