大尺寸拼接产品的光罩及在线量测定位的方法技术

本申请提供一种大尺寸拼接产品的光罩及在线量测定位的方法，其中所述大尺寸拼接产品的光罩包括：至少两个功能不同但尺寸相同的曝光单元区；每个所述曝光单元区的四个角上均设置有镜像对称的锁定角图案，且所述锁定角图案位于所述曝光单元区的芯片区；采用所述光罩在晶圆上进行拼接光刻工艺时，所述锁定角图案在所述晶圆上拼接形成十字标识，且所述十字标识将所述晶圆的整个芯片区划分成若干大小相等的量测单元，其中每个量测单元对应一个所述曝光单元区。所述大尺寸拼接产品的光罩及在线量测定位的方法能够扩大在线量测范围，并能够监控晶圆水平上的工艺差异。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺制造领域，尤其涉及一种大尺寸拼接产品的光罩及在线量测定位的方法。

技术介绍

1、在芯片制造过程中，在线(inline)实时对关键尺寸(cd，critical dimension)、层间对准(ovl，overlay)、膜层厚度(thk，thickness)等工艺参数进行检测，能有效确保芯片制造的准确性和稳定性，实现芯片预期的器件特性，而在在线量测中需设计锁定角图案(locking corner)作为对准(alignment)的基准点。

2、随着芯片应用需求多样化，大尺寸产品的需求出现，如图像传感器向着更大的像素尺寸和像素阵列发展，器件尺寸超过光刻、量测等机台尺寸上限，因此一维和二维拼接(stitching)光刻工艺应运而生,通过将光罩(mask)按照功能和需求划分成不同的曝光单元区，通过对不同曝光单元区分别曝光最终拼在一起，在晶圆(wafer)表面形成一个完整的曝光区域(shot)。

3、基于量测需求，在切割道(scribe lane)交叉的位置设置锁定角图案，但根据锁定角图案的位置划分的shot大小依然超过量测机本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，所述曝光单元区为方形。

3.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，所述锁定角图案为所述十字标识的四分之一图案。

4.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，所述锁定角图案的尺寸为30×30μm2～45×45μm2。

5.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，所述十字标识的尺寸为60×60μm2～90×90μm2。

6.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，在所述...

【技术特征摘要】

1.一种大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，所述曝光单元区为方形。

3.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，所述锁定角图案为所述十字标识的四分之一图案。

4.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，所述锁定角图案的尺寸为30×30μm2～45×45μm2。

5.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，所述十字标识的尺寸为60×60μm2～90×90μm2。

6.根据权利要求1所述的大尺寸拼接产品的光罩，其特征在于，在所述曝光单元区中，所述锁定角图案与其他图案的间距不小于50μm。

7.一种在线量测定...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红敏，阎大勇，高长城，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：