半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层，第一介质层内具有电容凹槽；在电容凹槽内形成电容结构，电容结构包括位于电容凹槽的侧壁和底部表面的第一电极层，位于第一电极层上的绝缘层，位于绝缘层上的第二电极层，第二电极层填充满电容凹槽，且第二电极层的顶部表面与第一介质层的顶部表面齐平；在第一介质层和电容结构上形成第二介质层。由于电容结构的顶部表面与第一介质层的顶部表面齐平，使得第二介质层会在第一介质层和电容结构提供的平坦界面上形成，以提升第二介质层顶部表面的平坦度，进而提升后续工艺中光刻工艺的对准精度，使得最终形成的半导体结构的可靠性提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、电容器是在超大规模集成电路中常用的无源元件，主要包括多晶硅-绝缘体-多晶硅(pip，polysilicon-insulator-polysilicon)电容器、金属-绝缘体-硅(mis，metal–insulator-silicon)电容器和金属-绝缘体-金属(mim，metal-insulator-metal)电容器等。

2、随着无线通讯技术的快速发展，人们强烈希望将适合于芯上系统(soc)的高性能解耦和旁路电容植入到集成电路的铜互连末端工艺中，以获得功能强劲的射频系统。这就进一步要求植入的电容应具有高电容密度、理想的电压线性值、精确的电容值控制以及高可靠性等；传统的pip结构、mis结构以及mos结构已经难以满足性能需求。

3、由于mim电容器对晶体管造成的干扰小，且可以提供较好的线性度(linearity)和对称度(symmetry)，因此采用mim电容器将是射频和模拟/混合信号集成电路发展趋势。

4、然而，mim电容器在形成过程中仍存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述电容凹槽内形成电容结构的方法包括：在所述电容凹槽的侧壁和底部表面、以及所述第一介质层的顶部表面形成第一电极材料层；在所述第一电极材料层上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层上形成第二电极材料层；对所述第二电极材料层、绝缘材料层、第一电极材料层进行第一研磨处理，直至暴露出所述第一介质层的顶部表面为止，使得所述第一电极材料层形成初始第一电极层，所述绝缘材料层形成初始绝缘层，所述第二电极材料层形成初始第二电极层；对所述初始第一电极层、初始绝缘层、初始第二电极层以及第一介质层进行...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述电容凹槽内形成电容结构的方法包括：在所述电容凹槽的侧壁和底部表面、以及所述第一介质层的顶部表面形成第一电极材料层；在所述第一电极材料层上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层上形成第二电极材料层；对所述第二电极材料层、绝缘材料层、第一电极材料层进行第一研磨处理，直至暴露出所述第一介质层的顶部表面为止，使得所述第一电极材料层形成初始第一电极层，所述绝缘材料层形成初始绝缘层，所述第二电极材料层形成初始第二电极层；对所述初始第一电极层、初始绝缘层、初始第二电极层以及第一介质层进行第二研磨处理，直至暴露出位于所述电容凹槽内的所述初始第二电极层的顶部表面为止，使得所述初始第一电极层形成所述第一电极层，所述初始绝缘层形成所述绝缘层，所述初始第二电极层形成所述第二电极层。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一研磨处理包括：第一化学机械研磨工艺。

4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一化学机械研磨工艺的工艺参数包括：研磨溶液包括：氧化硅溶液和双氧水；研磨头转速100转/秒-110转/秒；研磨时间50秒～100秒。

5.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二研磨处理包括：第二化学机械研磨工艺。

6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二化学机械研磨工艺的工艺参数包括：研磨溶液包括：氧化硅溶液和双氧水；研磨头转速100...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱宏亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：