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一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层，第一介质层内具有电容凹槽；在电容凹槽内形成电容结构，电容结构包括位于电容凹槽的侧壁和底部表面的第一电极层，位于第一电极层上的绝缘层，位于绝缘层上的第二电极层，第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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