本发明公开了一种提高晶圆的高温氧化物层均匀性的方法，包括：对晶舟进行清洗后，将多片晶圆放入晶舟，在晶舟中对所述多片晶圆淀积高温氧化物层。因此，该方法就提高了晶圆所沉积的高温氧化物层的均匀性。

本发明公开了一种在晶圆上制造栅极的方法，在晶圆衬底上依次沉积栅氧化层、多晶硅层、非晶态碳层、不含氮抗反射层及光刻胶层，图案化光刻胶层后，该方法还包括：按照光刻胶层的图形，刻蚀不含氮抗反射层，在不含氮抗反射层形成图形后，去除光刻胶层；按照...

本发明公开了一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：对Ｐ型多晶硅晶片喷沙后，进行预清洗；对该晶片的衬底进行Ｎ型掺杂物的重掺杂；在该晶片的衬底表面，沉积多晶硅层；进行快速退火处理；对该晶片边缘绝缘处理后，采用氢氟酸刻蚀去磷玻璃。本发明提供的...

本发明公开了一种对晶片浅沟道隔离槽加工过程进行控制的方法，包括如下步骤：预先获取浅沟道隔离槽（ＳＴＩ）深度与主蚀刻时间之间的线性关系；对通过主蚀刻过程得到的晶片ＳＴＩ深度进行测量，得到实际ＳＴＩ深度与目标ＳＴＩ深度的偏移量，根据所述偏移...

本发明公开了一种离子注入的方法，该方法包括：根据预先指定的离子注入顺序进行离子注入；所述的预先指定的离子注入顺序为：锗离子、砷离子、硼离子、铟离子和碳离子。通过使用上述的离子注入方法，可有效地改善半导体元器件的性能，消除或减小短沟道效应...

本发明公开了一种对数据库进行光学邻近修正的方法，该方法包括：对经过第一次修正之后，不符合要求的图形的部分数据库进行再次修正；将再次修正之后的不符合要求的图形的部分数据库，与经过第一次修正的数据库进行合并；输出最终数据库。采用该方法能够大...

本发明公开了一种光学邻近修正的方法，该方法包括：提供包括主图案图形的晶片；在所述主图案图形的空隙处插入散射条ＳＢＡＲ；交替修正主图案图形和ＳＢＡＲ，达到目标图案。采用该方法进一步优化了ＳＢＡＲ的尺寸，大大增大了工艺窗口的大小。

本发明提供了一种形成沟槽的方法、形成金属连线的方法、光刻方法及设备，所述形成沟槽的方法包括步骤：测试曝光、显影后的光刻胶掩模图形的沟槽侧壁是否垂直于半导体基底，如果否，则调整曝光的能量，并利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻...

本发明提供了一种提高ＮＭＯＳ电子迁移率的方法，所述方法包括下列步骤：提供ＣＭＯＳ器件，所述ＣＭＯＳ器件包括ＮＭＯＳ晶体管和ＰＭＯＳ晶体管；在所述ＮＭＯＳ晶体管和ＰＭＯＳ晶体管表面利用化学气相淀积的方法沉积刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面...

本发明公开了一种碰撞电离金属氧化物半导体晶体管及制作方法，该方法包括：在硅衬底上进行源极掺杂，得到源极；在硅衬底上沉积硅层后，对所沉积的硅层进行轻掺杂；在所述进行轻掺杂的硅层上光刻沟道后，在沟道内制作栅极；在所述进行轻掺杂的硅层表面和沟...

本发明公开了一种对二元光罩的抗反射层损伤修复的方法，包括：在用于放置二元光罩ＢＩＭ的反应腔中，通入臭氧水。本发明提供的方法可以对ＢＩＭ中的损伤的抗反射层修复。

本发明公开了一种避免光刻胶层图形损伤的方法，包括：对晶圆衬底进行气相成底膜处理、旋转涂胶、软烘及曝光；对曝光后的具有光刻胶层的晶圆衬底等待设定的时间；对等待设定时间的具有光刻胶层的晶圆衬底进行曝光后烘焙、显影及坚膜烘焙，得到光刻胶层图形...

本发明提供了一种接触孔的形成方法，包括步骤：提供半导体基底，其包括导电层、所述导电层上的刻蚀停止层、所述刻蚀停止层上的层间介质层；对所述层间介质层进行第一刻蚀，使得在所述层间介质层中形成通孔；对所述刻蚀停止层进行第二刻蚀，使得在所述刻蚀...

本发明公开了一种半导体器件的栅极掺杂方法，该方法应用于栅极的预掺杂过程，该方法包括：将碳和用于形成非晶态层的无机物离子注入到半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层后，将预掺杂杂质离子注入到半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层；光刻半导...

本发明公开了一种构造晶片浅沟道隔离槽的方法，所述晶片包括单晶硅构成的硅基底，以及硅基底的上表面按照预定的图样依次覆盖的衬垫氧化物层和氮化硅层，该方法包括如下步骤：Ａ、将所述晶片置于反应室内，对所述晶片未被衬垫氧化物层和氮化硅层覆盖的硅基...

本发明公开了一种沟槽刻蚀的方法，包括以下步骤：设置刻蚀反应腔的刻蚀参数；刻蚀形成沟槽；对晶片上包括单线（Ｉｓｏ）处和密线（Ｄｅｎｓｅ）处的沟槽深度进行量测，进行量测时，将量测装置伸入到沟槽底部；判断是否达到目标沟槽深度，如果达到目标深度...

本发明公开了一种半导体制造工艺流程中掺杂栅极和漏、源极的方法，在衬底上形成栅极后，在栅极表面以及栅极两侧的衬底表面涂覆底部抗反射涂层ＢＡＲＣ，衬底表面涂覆的ＢＡＲＣ高于栅极表面；对高于栅极表面的ＢＡＲＣ进行蚀刻，使栅极两侧的衬底表面的Ｂ...

本发明公开了一种减少铝衬垫表面须状缺陷的方法，包括将铝衬垫分为两次以上沉积。由于采用该方法，每次沉积的铝衬垫比较薄，所以最终形成铝衬垫时的应力就会比较低，就会有效降低ｗｈｉｓｋｅｒ?ｄｅｆｅｃｔ的现象的发生。

本发明公开了一种提高电荷存储层表面均匀性的方法，该方法包括：在半导体衬底的电荷存储区和外围电路区上形成电荷存储层结构；清除所述外围电路区上的电荷存储层结构，所述清除之后所述电荷存储层结构在外围电路区上有残留；在电荷存储区的电荷存储层结构...

本发明公开了一种提高浮栅擦除效率的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成浮栅ＦＧ氧化层、ＦＧ多晶硅层、氧化层－氮化层－氧化层ＯＮＯ介质层、控制栅ＣＧ多晶硅层、ＣＧ氮化硅层、ＣＧ氧化硅层、ＣＧ氮化硅硬掩膜层；在所述ＣＧ氮化硅硬掩膜层上涂...